Zobrazeno 1 - 10
of 266
pro vyhledávání: '"Carrier leakage"'
Autor:
Suri Suraj, Knipfer Benjamin B., Grange Thomas, Gao Huilong, Kirch Jeremy D., Mawst Luke J., Marsland Robert A., Botez Dan
Publikováno v:
Nanophotonics, Vol 13, Iss 10, Pp 1745-1757 (2024)
By employing a graded-interfaces model based on a generalized formalism for interface-roughness (IFR) scattering that was modified for mid-infrared emitting quantum cascade lasers (QCLs), we have accurately reproduced the electro-optical characterist
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a8467e0db3ec42299fe20ec174377a54
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 9, Pp 26301-26312 (2021)
Specific emitter identification (SEI) technology uses fingerprint features originated from the emitter imperfections to identify the transmitting devices. However, the fingerprint features used in SEI are subtle and can be easily affected by the dist
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/48048792c4a940c88f3c50dc66f515b8
Publikováno v:
Crystals, Vol 12, Iss 2, p 171 (2022)
In this work, a GaN-based multiple quantum well (MQW) sample has a much higher IQE although it has a stronger non-radiative recombination. Through experimental verification, the higher IQE is attributed to the suppressed carrier leakage mechanism, wh
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7e15ec7ec79d4989920e8655df777428
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Photonics, Vol 7, Iss 3, p 59 (2020)
We studied the temperature performance of split-well direct phonon terahertz quantum cascade lasers and found that it is limited by a lasing instability that becomes significant as the temperature increases. When the hot electrons of the upper laser
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1b3dfe8d1250440b944487c4a17eec4d
Autor:
Jin Soo So, Hyung Joo Lee, Jun-Beom Park, Tak Jeong, Hwa Sub Oh, Jong-Min Park, Seonghoon Jeong, Kyung Nam Jeon
Publikováno v:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology. 21:3824-3828
We studied broad-spectrum light emitting diodes appropriate for special lighting applications in terms of their optical behaviors and device performances according to the chirped multi-quantum well structures. As the well thickness from 1 st to 3rd w
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M. E. Muretova, A. S. Payusov, A. E. Zhukov, Levon V. Asryan, Mikhail V. Maximov, F. I. Zubov
Publikováno v:
Semiconductors. 54:366-373
In a laser with asymmetric barrier layers (ABLs) two thin barrier layers adjacent to the active region on both sides are intended to prevent bipolar population of the waveguide layers, hence, to suppress parasitic recombination in them. A theoretical