Zobrazeno 1 - 10
of 78
pro vyhledávání: '"Carrier escape"'
Publikováno v:
IEEE Photonics Journal, Vol 16, Iss 2, Pp 1-8 (2024)
Existing high-power semiconductor lasers widely use asymmetric large cavity structures or designs with short cavity lengths to enhance device performance, inevitably increasing the device threshold current density and suppressing further improvement
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ceb4378f606b4592bd1c92b558881e52
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Elisa Antolin, I. Artacho, Esther López, Eric Karhu, Turid Worren Reenaas, Mohammadreza Nematollahi, César Tablero, P.G. Linares, Iñigo Ramiro, Antonio Martí
Publikováno v:
Solar Energy Materials and Solar Cells, 169, 56-60. Elsevier
Solar Energy Materials and Solar Cells, ISSN 0927-0248, 2017-09, Vol. 169
Archivo Digital UPM
Universidad Politécnica de Madrid
Solar Energy Materials and Solar Cells, ISSN 0927-0248, 2017-09, Vol. 169
Archivo Digital UPM
Universidad Politécnica de Madrid
We investigate Cr-doped ZnS (ZnS: Cr) as a potential deep-level intermediate band material for high efficiency solar cells. We study n-ZnO:Al/ZnS:Cr/p-GaP heterojunction cell for the first time, and this paper presents an interpretation of the perfor
Autor:
Gaudenzio Meneghesso, Fabio Samparisi, Justin Norman, Robert W. Herrick, Daehwan Jung, Matteo Meneghini, Matteo Buffolo, John E. Bowers, Enrico Zanoni, Carlo De Santi
We present an extensive analysis of the physical mechanisms responsible for the degradation of 1.3-μm InAs quantum dot lasers epitaxially grown on Si, for application in silicon photonics. For the first time, we characterize the degradation of the d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e11d2c2c389ad00438a1a8b8dddc9e21
http://hdl.handle.net/11577/3305179
http://hdl.handle.net/11577/3305179
Publikováno v:
宮崎大學工學部紀要 = Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki. 44:1-4
To investigate the thermally carrier escape from a quantum well (QW) and its transportation, the temperature-dependent current-voltage (I-V) measurements were adopted to the AlGaAs/GaAs single QW structure. Since the present QW structure was composed
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Stefano Dominici, Gaudenzio Meneghesso, M. Mandurrino, Roland Zeisel, Enrico Zanoni, C. De Santi, Francesco Bertazzi, Bastian Galler, Michele Goano, Nicola Trivellin, Matteo Meneghini, M. La Grassa, Berthold Hahn
The thermal droop (reduction of the optical power when the temperature is increased) is a phenomenon that strongly limits the efficiency of InGaN-based light-emitting diodes. In this paper we analyze the role of Shockley-Read-Hall (SRH) recombination
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0014298a7e6054eb184f71cb9121750f
http://hdl.handle.net/11583/2637671
http://hdl.handle.net/11583/2637671
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.