Zobrazeno 1 - 10 of 76 pro vyhledávání: '"Card, H. C."'
1
Akademický článek
Asymmetry in the SiO2 tunneling barriers to electrons and holes.
Autor: Ng, K. K., Card, H. C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Apr1980, Vol. 51 Issue 4, p2153-2157, 5p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Electrostatic effects of interface states on carrier transport in semiconductor heterojunctions.
Autor: Card, H. C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Apr1979, Vol. 50 Issue 4, p2822-2825, 4p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Spectral response of photocurrents in the MOST and the dependence on gate and substrate bias.
Autor: Card, H. C., Fang, F. F.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jun1977, Vol. 48 Issue 6, p2481-2484, 4p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Collection velocity of excess minority carriers at metal-semiconductor contacts in solar cells.
Autor: Card, H. C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov1976, Vol. 47 Issue 11, p4964-4967, 4p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Limitation to Shockley–Read–Hall model due to direct photoionization of the defect states.
Autor: Hsieh, Y. K., Card, H. C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 3/15/1989, Vol. 65 Issue 6, p2409, 7p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Behavior of downstream plasmas generated in a microwave plasma chemical-vapor deposition reactor.
Autor: Shufflebotham, P. K., Thomson, D. J., Card, H. C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/1/1988, Vol. 64 Issue 9, p4398, 6p, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Amorphous silicon–tellurium alloys.
Autor: Shufflebotham, P. K., Card, H. C., Kao, K. C., Thanailakis, A.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/15/1986, Vol. 60 Issue 6, p2036, 5p, 1 Diagram, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Thermionic-field emission from interface states at grain boundaries in silicon.
Autor: De Groot, A. W., McGonigal, G. C., Thomson, D. J., Card, H. C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jan1984, Vol. 55 Issue 2, p312-317, 6p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Effects of interface-potential nonuniformities on carrier transport across silicon grain boundaries.
Autor: Thomson, D. J., Card, H. C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Apr1983, Vol. 54 Issue 4, p1976-1980, 5p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Energy and electric field dependence of Si-SiO2 interface state parameters by optically activated admittance experiments.
Autor: Poon, T. C., Card, H. C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Dec1980, Vol. 51 Issue 12, p6273-6278, 6p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje