Zobrazeno 1 - 10
of 153
pro vyhledávání: '"Carbon nanotube field-effect transistor (CNFET)"'
Publikováno v:
IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Vol 9, Iss 2, Pp 168-175 (2023)
Devices using emerging technologies and materials with the potential to outperform their silicon counterpart are actively explored in search of ways to extend Moore’s law. Among these technologies, low dimensional channel materials (LDMs) devices,
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b68f605d55874eb39931d4d0d6ed71e9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
P. Schuddinck, Max M. Shulaker, Romain Ritzenthaler, Alessio Spessot, Dimitrios Rodopoulos, Chi-Shuen Lee, Praveen Raghavan, Aaron Thean, Peter Debacker, Luca Mattii, Francky Catthoor, Syed Muhammed Yasser Sherazi, Marie Garcia Bardon, D. Yakimets, Rogier Baert, Gage Hills, Subhasish Mitra, H.-S. Philip Wong, Doyoung Jang, Gerben Doornbos, Iuliana Radu
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nanotechnology. 17:1259-1269
© 2018 IEEE. Carbon Nanotube Field-Effect Transistors (CNFETs) are highly promising to improve the energy efficiency of digital logic circuits. Here, we quantify the Very-Large-Scale Integrated (VLSI) circuit-level energy efficiency of CNFETs versus
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a0c3d32c29c32be8a49eb7552ab3243f
https://doi.org/10.1109/tnano.2018.2871841
https://doi.org/10.1109/tnano.2018.2871841
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.