Zobrazeno 1 - 10
of 245
pro vyhledávání: '"Carbon impurities"'
Autor:
Amir Ghiami, Annika Grundmann, Songyao Tang, Hleb Fiadziushkin, Zhaodong Wang, Stephan Aussen, Susanne Hoffmann-Eifert, Michael Heuken, Holger Kalisch, Andrei Vescan
Publikováno v:
Surfaces, Vol 6, Iss 4, Pp 351-363 (2023)
Metal–organic chemical vapor deposition (MOCVD) is a key method for scalable synthesis of two-dimensional transition metal dichalcogenide (2D-TMDC) layers. However, it faces several challenges, such as the unintentional co-deposition of carbon impu
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7983c6e8ec224c53a0c89c49b191aa3f
Autor:
Carlson, Eric Paul
GaN holds significant potential as a material for vertical p-n diodes, enabling the realization of devices with reverse breakdown voltages of 5 kV or higher. Carbon serves as the primary compensating dopant in the growth process, incorporated into Ga
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10919/115781
Autor:
Yuheng Zhang, Feng Liang, Degang Zhao, Desheng Jiang, Zongshun Liu, Jianjun Zhu, Jing Yang, Shuangtao Liu
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 15, Iss 1, Pp 1-5 (2020)
Abstract The effect of unintentionally doped hydrogen on the properties of Mg-doped p-GaN samples grown via metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) is investigated through room temperature photoluminescence (PL) and Hall and secondary ion mas
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e199da75e5ac42d1a07cbb095882a20b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Crystals, Vol 12, Iss 4, p 562 (2022)
To reduce oxygen and carbon impurities while casting silicon, an argon gas diversion system is proposed. A series of two-dimensional global transient numerical simulations are carried out using Fluent software according to the orthogonal experimental
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b7835061e9274c8eacbdff1152cd64a5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials. 141:133-138