Zobrazeno 1 - 10
of 9 272
pro vyhledávání: '"Carbon impurities"'
Autor:
Ghiami, Amir1 (AUTHOR) ghiami@cst.rwth-aachen.de, Grundmann, Annika1 (AUTHOR), Tang, Songyao1 (AUTHOR), Fiadziushkin, Hleb1 (AUTHOR), Wang, Zhaodong2,3 (AUTHOR), Aussen, Stephan2 (AUTHOR), Hoffmann-Eifert, Susanne2 (AUTHOR), Heuken, Michael1,4 (AUTHOR), Kalisch, Holger1 (AUTHOR), Vescan, Andrei1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Surfaces (2571-9637). Dec2023, Vol. 6 Issue 4, p351-363. 13p.
Autor:
Amir Ghiami, Annika Grundmann, Songyao Tang, Hleb Fiadziushkin, Zhaodong Wang, Stephan Aussen, Susanne Hoffmann-Eifert, Michael Heuken, Holger Kalisch, Andrei Vescan
Publikováno v:
Surfaces, Vol 6, Iss 4, Pp 351-363 (2023)
Metal–organic chemical vapor deposition (MOCVD) is a key method for scalable synthesis of two-dimensional transition metal dichalcogenide (2D-TMDC) layers. However, it faces several challenges, such as the unintentional co-deposition of carbon impu
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7983c6e8ec224c53a0c89c49b191aa3f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chakraborti, Amrita, Cho, Yeonsoo, Sjakste, Jelena, Baptiste, Benoit, Henry, Laura, Guignot, Nicolas, Godec, Yann Le, Vast, Nathalie
The role of carbon in the formation of alpha boron at high pressure and high temperature (HPHT) has been investigated by combining HPHT experiments and density functional theory (DFT) calculations. Starting from beta rhombohedral or amorphous boron a
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2212.08910
Autor:
Behzad, Somayeh, Chegel, Raad
Publikováno v:
In Journal of Molecular Graphics and Modelling March 2024 127
Autor:
Si, Zhiwei, Liu, Zongliang, Zheng, Shunan, Dong, Xiaoming, Gao, Xiaodong, Wang, Jianfeng, Xu, Ke
Publikováno v:
In Journal of Luminescence March 2023 255
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Huber, Martin, Silvestri, Marco, Knuuttila, Lauri, Pozzovivo, Gianmauro, Andreev, Andrei, Kadashchuk, Andrey, Bonanni, Alberta, Lundskog, Anders
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 107, 032106 (2015)
Effects of residual C impurities and Ga vacancies on the dynamic instabilities of AlN/AlGaN/GaN metal insulator semiconductor high electron mobility transistors are investigated. Secondary ion mass spectroscopy, positron annihilation spectroscopy, st
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2002.01952
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.