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pro vyhledávání: '"Caracterización eléctrica"'
Autor:
Guillermo Vinuesa
Publikováno v:
UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid
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En los últimos años, la búsqueda de sustitutos para la actual tecnología CMOS en la que se basan la mayoría de memorias de estado sólido, como las flash, se ha incrementado. Ello ha causado que fenómenos como la conmutación resistiva (resisti
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d56118e58d6b59f6b057b1ddfb9ac948
https://uvadoc.uva.es/handle/10324/52426
https://uvadoc.uva.es/handle/10324/52426
Autor:
Andres Fernando Morocho Caiza, Mildred Cajas Buenaño, Ronald Marcelo Barcia Macías, Sofia Berrones
Publikováno v:
Repositorio Escuela Superior Politécnica de Chimborazo
Escuela Superior Politécnica de Chimborazo
instacron:ESPOCH
Escuela Superior Politécnica de Chimborazo
instacron:ESPOCH
Este documento presenta el estudio del efecto del estrés térmico y eléctrico en dispositivos semiconductores de potencia a través de mediciones de ruido de baja frecuencia. Se aplico una prueba de Polarización Inversa a Alta Temperatura (HTRB po
Publikováno v:
Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio, Vol 49, Iss 6, Pp 399-404 (2010)
The barium titanate BaTiO3 is a material of great technological interest due to their dielectric properties. The functionality of this mixed oxide is mainly determined by its structure. Different synthesis methods have been used to improve the electr
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https://doaj.org/article/0c5fda85985d4a579ed1fdd238406059
Caracterización eléctrica de transistores electroquímicos utilizados para electrofisiología in vitro
Publikováno v:
RiuNet. Repositorio Institucional de la Universitat Politécnica de Valéncia
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[ES] El proyecto ERC-IONOS propone cambiar el paradigma de interfaz cerebro-máquina mediante el desarrollo de nuevas tecnologías diseñadas para interactuar íntimamente con las células biológicas, inspirándose en gran medida de la bioinspiraci
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::685445fd0e304a260f7a2559e002cb65
https://hdl.handle.net/10251/174926
https://hdl.handle.net/10251/174926
Publikováno v:
Tecnología en Marcha, Vol 27 (2014)
El uso de energía fotovoltaica se ha convertido en una solución ampliamente utilizada en la generación eléctrica ante la necesidad de reducir la emisión de contaminantes. Por su parte, la caracterización de dispositivos fotovoltaicos es una de
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https://doaj.org/article/0b0974b031c9478a8a74ea577fc7ede4
Autor:
Óscar González Ossorio
Publikováno v:
UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid
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En esta tesis doctoral se investiga el funcionamiento de dispositivos de conmutación resistiva (Resistive Switching) basados en estructuras MIM (Metal-Insulator-Metal), y cuya configuración consiste por tanto en dos electrodos metálicos separados
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::07a34e690f85d2ecc4596e9721e65d93
https://uvadoc.uva.es/handle/10324/50929
https://uvadoc.uva.es/handle/10324/50929
Autor:
Berrones, Sofia, Barcia Macías, Ronald Marcelo, Cajas Buenaño, Mildred, Morocho Caiza, Andres
Publikováno v:
Perspectives Scientific Journal ; Vol. 2 No. 2 (2020): Revista Perspectivas; 7-12
Revista Perspectivas; Vol. 2 Núm. 2 (2020): Revista Perspectivas; 7-12
Revista Perspectivas; Vol. 2 Núm. 2 (2020): Revista Perspectivas; 7-12
This document presents the study of the effect of thermal and electrical stress on power semiconductor devices through low-frequency noise measurements. A High Temperature Reverse Bias test (HTRB) was applied to the power devices, determining their e
Publikováno v:
Universidad Autónoma de Occidente
Repositorio Institucional UAO
Repositorio Institucional UAO
Cuando se realiza un cultivo celular, es de suma importancia conocer ciertos parámetros característicos como viabilidad, motilidad o proliferación celular, entre otros, los cuales dan información sobre el comportamiento y el estado de la poblaci
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od________25::bca76658d33efff61e3902dde253f621
Publikováno v:
ACI Avances en Ciencias e Ingenierías, Vol 4, Iss 2 (2012)
This paper reports about the extensive electrical characterization, with low distortion and greater reliability, of MOSFET devices at nanometric scales with ultra thin Fully Depleted (FD) type architecture on Silicon-On-Insulator (SOI) technology to
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https://doaj.org/article/0543230439b14a388f9aab948874339d
Autor:
Andrés Firman, Arturo Juan Busso, Manuel O. Cáceres, Olivio Augusto Bertotto, Luis Horacio Vera
Publikováno v:
Extensionismo, Innovación y Transferencia Tecnológica, 2019, vol. 5, p. 216-221.
Repositorio Institucional de la Universidad Nacional del Nordeste (UNNE)
Universidad Nacional del Nordeste
instacron:UNNE
Repositorio Institucional de la Universidad Nacional del Nordeste (UNNE)
Universidad Nacional del Nordeste
instacron:UNNE
Fil: Firman, Andrés Danilo. Universidad Nacional del Nordeste. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales y Agrimensura; Argentina. Fil: Bertotto, Olivio Augusto. Universidad Nacional del Nordeste. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales y Agrimensur
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2042cc0cdd5a7257bc27955d5183ff56
http://repositorio.unne.edu.ar/handle/123456789/48245
http://repositorio.unne.edu.ar/handle/123456789/48245