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pro vyhledávání: '"Capacité thermique du substrat"'
Autor:
Niu, Shiqin
La thèse intitulée "Conception, caractérisation et optimisation d’un transistor à effet de champ haute tension en Carbure de Silicium (SiC) et de leur diode associée", s’est déroulée au sein du laboratoire AMPERE sous la direction du Prof.
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2016LYSEI136/document
Autor:
Niu, Shiqin
Publikováno v:
Electronique. Université de Lyon, 2016. Français. 〈NNT : 2016LYSEI136〉
Electronique. Université de Lyon, 2016. Français. ⟨NNT : 2016LYSEI136⟩
Electronique. Université de Lyon, 2016. Français. ⟨NNT : 2016LYSEI136⟩
Silicon carbide (SiC) has higher critical electric field for breakdown and lower intrinsic carrier concentration than silicon, which are very attractive for high power and high temperature power electric applications. In this thesis, a new 3.3kV/20A
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::1ebdb0a0ccfb0c00485189212d764594
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01784870/file/these.pdf
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01784870/file/these.pdf