Zobrazeno 1 - 10
of 25
pro vyhledávání: '"Camuso G."'
Autor:
Gammon P.M., Chan C.W., Gity F., Trajkovic T., Kilchytska V., Fan L., Pathirana V., Camuso G., Ben Ali K., Flandre D., Mawby P.A., Gardner J.W.
Publikováno v:
E3S Web of Conferences, Vol 16, p 12003 (2017)
A new generation of power electronic semiconductor devices are being developed for the benefit of space and terrestrial harsh-environment applications. 200-600 V lateral transistors and diodes are being fabricated in a thin layer of silicon (Si) wafe
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0dd4f01de6134216a5eee2a56425504d
Vertical leakage in lateral GaN devices has a significant contribution to the overall off-state current at high blocking voltages and high temperatures. It could could lead to premature breakdown before avalanche or dielectric breakdown occur. This p
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0af6990b770d626d03b544ce5bb62d97
https://www.repository.cam.ac.uk/handle/1810/263662
https://www.repository.cam.ac.uk/handle/1810/263662
Publikováno v:
Energies; Volume 10; Issue 3; Pages: 407
© 2017 by the author. With Gallium Nitride (GaN) device technology for power electronics applications being ramped up for volume production, an increasing amount of research is now focused on the performance of GaN power devices in circuits. In this
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2015 IEEE 27th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD); 2015, p181-184, 4p
Publikováno v:
2013 25th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD); 2013, p401-404, 4p
Publikováno v:
2011 International Semiconductor Conference (CAS); 2011, p313-316, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.