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pro vyhledávání: '"Campo eléctrico interno"'
Autor:
CARDONA-BEDOYA, JAIRO A.1 jcardona@ut.edu.co, CELEMÍN SANCHEZ, HUBERNEY1, PULZARA-MORA, ÁLVARO2
Publikováno v:
Revista EIA. jun2021, Vol. 18 Issue 36, p1-14. 14p.
Publikováno v:
Repositorio EIA
Escuela de Ingeniería de Antioquia
instacron:Escuela de Ingeniería de Antioquia
Escuela de Ingeniería de Antioquia
instacron:Escuela de Ingeniería de Antioquia
espanolLa segregacion superficial de atomos en las aleaciones de semiconductores III-V produce interfaces abruptas y modifica los perfiles del potencial, alternando los estados electronicos en el pozo cuantico y la energia de emision en el espectro d
Autor:
Pérez Cervera, Yobana
Publikováno v:
Universidad Nacional Autónoma de México
UNAM IQ
Repositorio del Instituto de Química, UNAM
UNAM
Repositorio de Tesis DGBSDI, Dirección General de Bibliotecas y Servicios Digitales de Información, UNAM
UNAM IQ
Repositorio del Instituto de Química, UNAM
UNAM
Repositorio de Tesis DGBSDI, Dirección General de Bibliotecas y Servicios Digitales de Información, UNAM
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::39ed817074f7b0cc28c23590f4a5b62d
http://rdu.iquimica.unam.mx/handle/20.500.12214/1074
http://rdu.iquimica.unam.mx/handle/20.500.12214/1074
Autor:
Gerardo, Cely1 gerardocely69@gmail.com, Jaime, Reyes2 jdreyesr@udistrital.edu.co, Edier, Bustos2 ehbustosv@udistrital.edu.co
Publikováno v:
Tecné, Episteme y Didaxis. 2018 Supplement, p855-865. 11p.
Autor:
GUILLéN, VLADIMIR CACHóN1 vladimircg@yahoo.com
Publikováno v:
En-Claves del Pensamiento Journal. jul-dic2013, Vol. 7 Issue 14, p11-33. 23p.
Autor:
CACHÓN GUILLÉN, VLADIMIR1 vladimircg@yahoo.com
Publikováno v:
En-Claves del Pensamiento Journal. jul-dic2013, Vol. 7 Issue 14, p11-33. 23p.
Autor:
Lukin, M. O'Reilly1 mollib2003@elacm.sld.cu, Iribarren, A.2 augusto@fisica.uh.cu
Publikováno v:
Revista Cubana de Física. 2010, Vol. 27 Issue 2B, p224-228. 5p. 5 Graphs.
Publikováno v:
Revista Cubana de Física. 2010, Vol. 27 Issue 1, p45-49. 5p. 1 Graph.
Publikováno v:
Universidad Autónoma de San Luis Potosí
UASLP
Repositorio Institucional de la UASLP
UASLP
Repositorio Institucional de la UASLP
Los principales recursos que la sofisticada tecnología utiliza para satisfacer las demandas que la sociedad requiere han sido durante muchos años los dispositivos semiconductores. Las propiedades que adquieren los semiconductores a escala nanométr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3056::2eb8af2f5de10c4ae1d577311da3fe2a
https://repositorioinstitucional.uaslp.mx/xmlui/handle/i/5774
https://repositorioinstitucional.uaslp.mx/xmlui/handle/i/5774
Autor:
Sheng, Yunwei
La baixa eficiència de conversió d'energia és un factor limitant important per a algunes aplicacions fotovoltaiques. En aquest context, la conversió fotovoltaica emprant materials ferroelèctrics, està rebent un nou interès. De fet, algunes de
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1404::31f93b0be0734393cc3872a0ac7c45e9
https://ddd.uab.cat/record/273803
https://ddd.uab.cat/record/273803