Zobrazeno 1 - 10
of 25
pro vyhledávání: '"Campbell, Deanna M"'
Autor:
Basso, Luca, Kehayias, Pauli, Henshaw, Jacob, Ziabari, Maziar Saleh, Byeon, Heejun, Lilly, Michael P., Bussmann, Ezra, Campbell, Deanna M., Misra, Shashank, Mounce, Andrew M.
The recently-developed ability to control phosphorous-doping of silicon at an atomic level using scanning tunneling microscopy (STM), a technique known as atomic-precision-advanced-manufacturing (APAM), has allowed us to tailor electronic devices wit
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2207.14254
Autor:
Halsey, Connor, Depoy, Jessica, Campbell, DeAnna M., Ward, Daniel R., Anderson, Evan M., Schmucker, Scott W., Ivie, Jeffrey A., Gao, Xujiao, Scrymgeour, David A., Misra, Shashank
As transistor features shrink beyond the 2 nm node, studying and designing for atomic scale effects become essential. Being able to combine conventional CMOS with new atomic scale fabrication routes capable of creating 2D patterns of highly doped pho
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2110.11580
Autor:
Ward, Daniel R., Schmucker, Scott W., Anderson, Evan M., Bussmann, Ezra, Tracy, Lisa, Lu, Tzu-Ming, Maurer, Leon N., Baczewski, Andrew, Campbell, Deanna M., Marshall, Michael T., Misra, Shashank
Publikováno v:
Electronic Device Failure Analysis, 22 (2020) 1:4-10
An exponential increase in the performance of silicon microelectronics and the demand to manufacture in great volumes has created an ecosystem that requires increasingly complex tools to fabricate and characterize the next generation of chips. Howeve
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2002.11003
Autor:
Anderson, Evan M., Campbell, DeAnna M., Maurer, Leon N., Baczewski, Andrew D., Marshall, Michael T., Lu, Tzu-Ming, Lu, Ping, Tracy, Lisa A., Schmucker, Scott W., Ward, Daniel R., Misra, Shashank
Atomic precision advanced manufacturing (APAM) offers creation of donor devices in an atomically thin layer doped beyond the solid solubility limit, enabling unique device physics. This presents an opportunity to use APAM as a pathfinding platform to
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2002.09075
Autor:
Ward, Daniel R., Marshall, Michael T., Campbell, DeAnna M., Lu, Tzu-Ming, Koepke, Justin C., Scrymgeour, David A., Bussmann, Ezra, Misra, Shashank
We describe an all-optical lithography process that can be used to make electrical contact to atomic-precision donor devices made in silicon using scanning tunneling microscopy (STM). This is accomplished by implementing a cleaning procedure in the S
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1708.05411
Publikováno v:
Microscopy & Microanalysis; 2024 Supplement, Vol. 30, p1-4, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Anderson, Evan M., Allemang, Christopher R., Arose, Christopher, Lu, Tzu-Ming, Schmucker, Scott W., Sheridan, Thomas R., Ivie, Jeffrey A., Campbell, Deanna M., Vigil, Ashlyn P., Hawkins, Alisha G., Gamache, Philip A., Gao, Xujiao, Weingartner, Thomas A., Misra, Shashank
Publikováno v:
ECS Meeting Abstracts; 2024, Vol. MA2024-01 Issue 1, p1292-1292, 1p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.