Zobrazeno 1 - 10
of 177
pro vyhledávání: '"Camilli, L."'
Autor:
Camilli, L., Galbiati, M., Di Gaspare, L., De Seta, M., Píš, I., Bondino, F., Caporale, A., Veigang-Radulescu, V. -P., Hofmann, S., Sodo, A., Gunnella, R., Persichetti, L.
Publikováno v:
Applied Surface Science 2022
Graphene quality indicators obtained by Raman spectroscopy have been correlated to the structural changes of the graphene/Germanium interface as a function of in-vacuum thermal annealing. Specifically, it is found that graphene becomes markedly defec
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2204.02037
Autor:
Persichetti, L., Paoloni, D., Apponi, A., Camilli, L., Caporale, A., Babenko, V., Hofmann, S., Angelucci, M., Cimino, R., De Seta, M., Ruocco, A., Di Gaspare, L.
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing April 2024 173
Autor:
Camilli, L, Galbiati, M, Di Gaspare, L, De Seta, M, Píš, I, Bondino, F, Caporale, A, Veigang-Radulescu, V, Babenko, V, Hofmann, S, Sodo, A, Gunnella, R, Persichetti, L
Graphene quality indicators obtained by Raman spectroscopy have been correlated to the structural changes of the graphene/Germanium interface as a function of in-vacuum thermal annealing. Specifically, it is found that graphene becomes markedly defec
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8463b0d8da1897bcb9ac27a82ca98b77
http://arxiv.org/abs/2204.02037
http://arxiv.org/abs/2204.02037
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Scarselli, M., Camilli, L., Persichetti, L., Castrucci, P., Lefrant, S., Gautron, E., De Crescenzi, M.
Publikováno v:
In Carbon August 2012 50(10):3616-3621
Autor:
França, E.J., Fernandes, E.A.N., Cavalca, I.P.O, Fonseca, F.Y., Camilli, L., Rodrigues, V.S., Bardini Junior, C., Ferreira, J.R., Bacchi, M.A.
Publikováno v:
In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, A 2010 622(2):479-483
Autor:
Giubileo, F., Grillo, A., Pelella, A., Faella, E., Camilli, L., Sun, J. B., Capista, D., Passacantando, M., Di Bartolomeo, A.
Publikováno v:
Giubileo, F, Grillo, A, Pelella, A, Faella, E, Camilli, L, Sun, J B, Capista, D, Passacantando, M & Di Bartolomeo, A 2021, ' Germanium arsenide nanosheets applied as twodimensional field emitters ', Journal of Physics: Conference Series, vol. 2047, no. 1, 012021 . https://doi.org/10.1088/1742-6596/2047/1/012021
The IV-V groups binary compound germanium arsenide (GeAs) is a semiconductor that can be easily exfoliated in very thin nanosheets and is characterized by a band gap ranging from 0.6 eV (bulk form) up to 2.1 eV (monolayer). We investigate the field e
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1202::94af4a901a6b78c86e35a034bf3fc98d
https://orbit.dtu.dk/en/publications/fce6a5db-5074-4fdb-9c82-3f74898deb8b
https://orbit.dtu.dk/en/publications/fce6a5db-5074-4fdb-9c82-3f74898deb8b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.