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Autor:
Camargo, Fabio de
Neste trabalho são apresentados os estudos das condições de resposta de um diodo de Si, com estrutura de múltiplos anéis de guarda, na detecção e espectrometria de partículas alfa. Este diodo foi fabricado por meio do processo de implantaçã
Desenvolvimento de dosimetros com diodos de Si resistentes a radiacao para dosimetria de altas doses
Autor:
CAMARGO, FABIO de
Publikováno v:
Repositório Institucional do IPENInstituto de Pesquisas Energéticas e NuclearesIPEN.
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Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)
Neste trabalho
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Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)
Neste trabalho
Externí odkaz:
http://repositorio.ipen.br:8080/xmlui/handle/123456789/9466
Desenvolvimento de dosimetros com diodos de Si resistentes a radiacao para dosimetria de altas doses
Autor:
CAMARGO, FABIO de
Publikováno v:
Repositório Institucional do IPENInstituto de Pesquisas Energéticas e NuclearesIPEN.
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Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)
Tese (Doutorame
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Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)
Tese (Doutorame
Externí odkaz:
http://repositorio.ipen.br:8080/xmlui/handle/123456789/9466
Fatores que influenciam a resolucao em energia na espectrometria de particulas alfa com diodos de Si
Autor:
CAMARGO, FABIO de
Publikováno v:
Repositório Institucional do IPENInstituto de Pesquisas Energéticas e NuclearesIPEN.
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Neste trabalho são apresentados os estudos das condições de resposta de um diodo de
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Neste trabalho são apresentados os estudos das condições de resposta de um diodo de
Externí odkaz:
http://repositorio.ipen.br:8080/xmlui/handle/123456789/11264
Fatores que influenciam a resolucao em energia na espectrometria de particulas alfa com diodos de Si
Autor:
CAMARGO, FABIO de
Publikováno v:
Repositório Institucional do IPENInstituto de Pesquisas Energéticas e NuclearesIPEN.
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Dissertacao (Mestrado)
IPEN/D
Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares
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Dissertacao (Mestrado)
IPEN/D
Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares
Externí odkaz:
http://repositorio.ipen.br:8080/xmlui/handle/123456789/11264
Desenvolvimento de dosímetros com diodos de Si resistentes à radiação para dosimetria de altas doses
Autor:
Camargo, Fábio de
Neste trabalho são apresentados os resultados obtidos com diodos resistentes a danos de radiação dos tipos fusão zonal padrão (FZ), fusão zonaI com difusão de oxigênio (DOFZ) e Czochralski magnético (MCz) em dosimetria de processamento por r