Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"Calvo, M. Rio"'
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2019, pp.125299
We studied and optimized the molecular beam epitaxy of GaSb layers on vicinal (001) Si substrates using a GaAs nucleation layer. An in-depth analysis of the different growth stages under optimized conditions revealed the formation of a high density o
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1910.11201
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.