Zobrazeno 1 - 10
of 96
pro vyhledávání: '"Calligaro C."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
This work describes the development of a new method for recording radiation exposure by using a passive dosimeter based on a Floating Gate CMOS sensor. The floating Gate sensors based on the MOS structure discharge allow the construction of compact a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3658::a7feb20e7e353ba87c30761c44a53890
http://hdl.handle.net/10447/359519
http://hdl.handle.net/10447/359519
Autor:
Andreou, C. M., Javanainen, A., Rominski, A., Virtanen, A., Liberali, V., Calligaro, C., Prokofiev, A. V., Gerardin, S., Bagatin, M., Paccagnella, A., Gonzalez-Castano, D. M., Gomez, F., Nahmad, D., Georgiou, J.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science
IEEE Trans.Nucl.Sci.
IEEE Trans.Nucl.Sci.
An architectural performance comparison of bandgap voltage reference variants, designed in a $0.18~\mu \text {m}$ CMOS process, is performed with respect to single event transients. These are commonly induced in microelectronics in the space radiatio
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0d80fe77c775bbc69d47ca9f703670a2
https://doi.org/10.1109/TNS.2016.2611639
https://doi.org/10.1109/TNS.2016.2611639
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Andreou, C. M., Paccagnella, A., Gonzalez-Castano, D. M., Gomez, F., Liberali, V., Prokofiev, A. V., Calligaro, C., Javanainen, A., Virtanen, A., Nahmad, D., Georgiou, J.
Publikováno v:
ISCAS
Proceedings-IEEE International Symposium on Circuits and Systems
Proceedings-IEEE International Symposium on Circuits and Systems
A low-power, wide temperature range, radiation tolerant CMOS voltage reference is presented. The proposed reference circuit exhibits a voltage deviation of 0.8mV for 3-MeV protons total ionization dose of 2Mrad and a voltage deviation of 3.8mV for 10
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::88bebf6f72d3fa6c499c9bebadf8df4b
https://doi.org/10.1109/iscas.2015.7169129
https://doi.org/10.1109/iscas.2015.7169129
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.