Zobrazeno 1 - 10 of 37 pro vyhledávání: '"Caliebe, M."'
1
Akademický článek
Growth and doping of semipolar GaN grown on patterned sapphire substrates
Autor: Scholz, F., Meisch, T., Caliebe, M., Schörner, S., Thonke, K., Kirste, L., Bauer, S., Lazarev, S., Baumbach, T.
Publikováno v: In Journal of Crystal Growth 1 November 2014 405:97-101
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Stacking fault emission in GaN: Influence of n-type doping.
Autor: Hocker, M., Tischer, I., Neuschl, B., Thonke, K., Caliebe, M., Klein, M., Scholz, F.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 5/14/2016, Vol. 119 Issue 18, p185703-1-185703-6, 6p, 1 Diagram, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Comparative study of polar and semipolar ... InGaN layers grown by metalorganic vapour phase epitaxy.
Autor: Dinh, Duc V., Oehler, F., Zubialevich, V. Z., Kappers, M. J., Alam, S. N., Caliebe, M., Scholtz, F., Humphreys, C. J., Parbrook, P. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2014, Vol. 116 Issue 15, p1-7, 7p, 2 Charts, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Origin of faceted surface hillocks on semi-polar (1 1 2 ¯ 2) GaN templates grown on pre-structured sapphire
Autor: Han, Y, Caliebe, M, Kappers, M, Scholz, F, Pristovsek, M, Humphreys, C
The microstructure of semi-polar (1 1 2 2) GaN templates grown on pre-structured r-plane sapphire by metal–organic vapor phase epitaxy (MOVPE) followed by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) has been characterised by transmission electron microscopy
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______109::1c0b90227721ea16d60752d9f7bbef80
https://www.repository.cam.ac.uk/handle/1810/247165
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Akademický článek
Intentional anisotropic strain relaxation in (112̅2) oriented Al1−xInxN one-dimensionally lattice matched to GaN.
Autor: Buß, E. R., Rossow, U., Bremers, H., Meisch, T., Caliebe, M., Scholz, F., Hangleiter, A.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 9/22/2014, Vol. 105 Issue 12, p1-4, 4p, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje