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Caracterización de transistores de microondas mediante la técnica de calibración TRL
Autor: Pradell i Cara, Lluís, Artal, Eduardo, Comerón Tejero, Adolfo, Corbella Sanahuja, Ignasi, Sabater, C.
Publikováno v: UPCommons. Portal del coneixement obert de la UPC
Universitat Politècnica de Catalunya (UPC)
Recercat. Dipósit de la Recerca de Catalunya
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In this paper, the design of a Microstrip Test Fixture for TRL calibration is described. Experimental results for S-parameters measurement of a GaAs FET chip in the 3-22 GHz frequency range are presented. Repeatability of connections and measurements
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::70a9f1205b2f2eff8bf4c3c8f7d8b9b9
http://hdl.handle.net/2117/86158
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Diseño e implementación de un divisor de potencia Wilkinson en tecnología Empty Substrate Integrated Coaxial Line
Autor: Merello Giménez, José Manuel
Publikováno v: RiuNet. Repositorio Institucional de la Universitat Politécnica de Valéncia
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[ES] El objetivo de este TFM es el diseño, la implementación y medida de un dispositivo de microondas en una nueva tecnología integrada en sustrato, la denominada Empty Substrate Integrated Coaxial Line (ESICL). En concreto se desarrolla un diviso
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::9943fc7e77e104ce6b30097e41bd0096
https://hdl.handle.net/10251/127847
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Algoritmo y Sistema Automático de Medida Precisa de Parámetros S en Cámara Climática
Autor: Ruiz Garnica, Jesús
Publikováno v: RiuNet. Repositorio Institucional de la Universitat Politécnica de Valéncia
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El presente trabajo final de máster surge ante la necesidad de conseguir un sistema automático de medida precisa de parámetros S en cámara climática. Para ello se ha planteado realizar un programa en Labview que controle la cámara climática ex
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::b708c7e1a87b6ed06976b1e42951fece
https://hdl.handle.net/10251/45960
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Dissertation/ Thesis
Efficient analysis and design of devices in Substrate Integrated Waveguide (SIW) technology
Autor: Díaz Caballero, Elena
Publikováno v: Riunet.
Para abordar el análisis de estas estructuras de forma altamente eficiente, se pretenden utilizar dos enfoques distintos, que llevarían a dos técnicas distintas y eficientes, pero cada una de ellas con sus ventajas e inconvenientes respecto de la
Externí odkaz: http://hdl.handle.net/10251/34627
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Efficient analysis and design of devices in Substrate Integrated Waveguide (SIW) technology
Autor: Elena Díaz Caballero
Publikováno v: Riunet
RiuNet. Repositorio Institucional de la Universitat Politécnica de Valéncia
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Para abordar el análisis de estas estructuras de forma altamente eficiente, se pretenden utilizar dos enfoques distintos, que llevarían a dos técnicas distintas y eficientes, pero cada una de ellas con sus ventajas e inconvenientes respecto de la
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::11f833727d05af4d60b34130c85e5867
https://doi.org/10.4995/thesis/10251/34627
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Dissertation/ Thesis
Caracterización de Transistores Hemt en Banda Q
Autor: Navarrete Moreno, Francisco José
Este trabajo de título tiene como objetivo diseñar y construir un sistema de caracterización de transistores HEMT. Este sistema tiene como n determinar el comportamiento de transistores candidatos a ser utilizados en el diseño de ampli cadores de
Externí odkaz: http://www.repositorio.uchile.cl/handle/2250/104301
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