Zobrazeno 1 - 10
of 27
pro vyhledávání: '"Calbi G"'
Autor:
Longo, D., Bottino, F., Lucignani, G., Scarciolla, L., Pasquini, L., Rossi Espagnet, M. C., Polito, C., Figà-Talamanca, L., Calbi, G., Savarese, I., Giliberti, P., Napolitano, A.
Publikováno v:
Journal of Maternal-Fetal & Neonatal Medicine; Nov2022, Vol. 35 Issue 21, p4035-4042, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Emmanuel Wangila, Calbi Gunder, Mohammad Zamani-Alavijeh, Fernando Maia de Oliveira, Serhii Kryvyi, Aida Sheibani, Yuriy I. Mazur, Shui-Qing Yu, Gregory J. Salamo
Publikováno v:
Crystals, Vol 14, Iss 8, p 724 (2024)
We report on the growth of high-quality GaAs semiconductor materials on an AlAs/sapphire substrate by molecular beam epitaxy. The growth of GaAs on sapphire centers on a new single-step growth technique that produces higher-quality material than a pr
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a1ca66d1e9c142f5b570aa73450f3e3f
Autor:
Calbi Gunder, Mohammad Zamani-Alavijeh, Emmanuel Wangila, Fernando Maia de Oliveira, Aida Sheibani, Serhii Kryvyi, Paul C. Attwood, Yuriy I. Mazur, Shui-Qing Yu, Gregory J. Salamo
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 14, Iss 11, p 909 (2024)
The growth of high-composition GeSn films in the future will likely be guided by algorithms. In this study, we show how a logarithmic-based algorithm can be used to obtain high-quality GeSn compositions up to 16% on GaAs (001) substrates via molecula
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/09d29963985a4887bfcc8786ce77e394
Autor:
Emmanuel Wangila, Calbi Gunder, Petro M. Lytvyn, Mohammad Zamani-Alavijeh, Fernando Maia de Oliveira, Serhii Kryvyi, Hryhorii Stanchu, Aida Sheibani, Yuriy I. Mazur, Shui-Qing Yu, Gregory Salamo
Publikováno v:
Crystals, Vol 14, Iss 5, p 414 (2024)
Ge1−xSnx growth on a new sapphire platform has been demonstrated. This involved the growth of GeSn on Ge/GaAs layers using the algorithm developed. The resultant growths of Ge on GaAs/AlAs/sapphire and Ge1−xSnx on Ge/GaAs/AlAs/sapphire were inves
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6aaf73730ff746378b763ebdd942b523
Autor:
Emmanuel Wangila, Peter Lytvyn, Hryhorii Stanchu, Calbi Gunder, Fernando Maia de Oliveira, Samir Saha, Subhashis Das, Nirosh Eldose, Chen Li, Mohammad Zamani-Alavijeh, Mourad Benamara, Yuriy I. Mazur, Shui-Qing Yu, Gregory J. Salamo
Publikováno v:
Crystals, Vol 13, Iss 11, p 1557 (2023)
Germanium films were grown on c-plane sapphire with a 10 nm AlAs buffer layer using molecular beam epitaxy. The effects of Ge film thickness on the surface morphology and crystal structure were investigated using ex situ characterization techniques.
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/83d97a843ebc47b791ad56660221ca9e
Publikováno v:
Europe PubMed Central
This study was undertaken to verify the efficacy and safety of patient controlled analgesia (PCA) in preschool and older than 6 years children with acute postoperative and chronic oncologic pain.Sixty-two children, aged 4-17 yr, with postoperative (n
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid_dedup__::70bfe6409078dbd53aeb9739775be845
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/11387770
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/11387770
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.