Zobrazeno 1 - 10
of 73
pro vyhledávání: '"Calabretta, C."'
Autor:
Calabretta, C., Pecora, A., Agati, M., Muoio, A., Scuderi, V., Privitera, S., Reitano, R., Boninelli, S., La Via, F.
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing May 2024 174
Autor:
Calabretta, C., Scuderi, V., Bongiorno, C., Anzalone, R., Reitano, R., Cannizzaro, A., Mauceri, M., Crippa, D., Boninelli, S., La Via, F.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 1 January 2024 283
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth Volume 519, 1 August 2019, Pages 1-6
Cubic silicon carbide (3C-SiC) is an emerging material for high power and new generation devices, but the development of high quality 3C-SiC layer still represents a scientific and technological challenge especially when grown on a Si substrate. In t
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2001.05817
Autor:
Agati, M., Boninelli, S., Calabretta, C., Mancarella, F., Mauceri, M., Crippa, D., Albani, M., Bergamaschini, R., Miglio, L., La Via, F.
Publikováno v:
In Materials & Design October 2021 208
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 1 August 2019 519:1-6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.