Výsledky vyhledávání - "Cajas Buenaño, Mildred"

Diseño e implementación vía simulación de estrategias de control secundario para plantas fotovoltaicas en micro-redes aisladas

Autor: Cajas Buenaño, Mildred Lisseth

Publikováno v: Repositorio Universidad de las Fuerzas Armadas
Universidad de las Fuerzas Armadas
instacron:ESPE

Las fuentes de energía renovables están en continuo desarrollo, por la disminución de los recursos hidroeléctricos y fósiles. Una solución para la generación de energía eléctrica es la energía solar, siendo un recurso renovable y con una te

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http://repositorio.espe.edu.ec/handle/21000/33161

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Control PID de procesos autoregulados e integrantes sintonizados con el método lambda: Array

Autor: Guagchinga, Fabián, Calvopiña, Paola, Alpúsig, Silvia, Cajas Buenaño, Mildred

Publikováno v: Perspectives Scientific Journal ; Vol. 3 No. 1 (2021): Revista Perspectivas; 43-49
Revista Perspectivas; Vol. 3 Núm. 1 (2021): Revista Perspectivas; 43-49

This work presents the implementation of a didactic tool to determine the value of the constants of a PID controller through the lambda method, also known as IMC (Internal Control Method). Such a tool can be used to start a process or ratify the curr

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http://perspectivas.espoch.edu.ec:8081/index.php/RCP_ESPOCH/article/view/91

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Aplicación de Mediciones de Ruido de Baja Frecuencia para el Análisis de Efectos de Estrés Térmico y Eléctrico en Dispositivos de Potencia: Array

Autor: Berrones, Sofia, Barcia Macías, Ronald Marcelo, Cajas Buenaño, Mildred, Morocho Caiza, Andres

Publikováno v: Perspectives Scientific Journal ; Vol. 2 No. 2 (2020): Revista Perspectivas; 7-12
Revista Perspectivas; Vol. 2 Núm. 2 (2020): Revista Perspectivas; 7-12

This document presents the study of the effect of thermal and electrical stress on power semiconductor devices through low-frequency noise measurements. A High Temperature Reverse Bias test (HTRB) was applied to the power devices, determining their e

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http://perspectivas.espoch.edu.ec:8081/index.php/RCP_ESPOCH/article/view/76

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Análisis comparativo del nivel de defectuosidad en los dispositivos de potencia SiC n-MOSFETs

Autor: Guevara, Esteban, Tinajero, José Luis, Guevara, Mauro, Cajas Buenaño, Mildred

Publikováno v: Repositorio Escuela Superior Politécnica de Chimborazo
Escuela Superior Politécnica de Chimborazo
instacron:ESPOCH

Actualmente, los transistores de efecto de campo fabricados en carburo de silicio son una tecnología emergente que está ingresando al mercado de los dispositivos de potencia, debido a los grandes beneficios que presenta esta familia de semiconducto

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http://dspace.espoch.edu.ec/handle/123456789/15767

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Artículo Científico - Análisis de cobertura y calidad del servicio de telefonía fija inalámbrica CDMA 450 de la Corporación Nacional de Telecomunicaciones (CNT. EP.) en la provincia de Cotopaxi, cantones Latacunga y Salcedo

Autor: Cajas Buenaño, Mildred Lisseth, Jaramillo Salazar, Daniel Eduardo

Publikováno v: Repositorio Universidad de las Fuerzas Armadas
Universidad de las Fuerzas Armadas
instacron:ESPE

Con el avance de los servicios de telefonía en Ecuador la necesidad de tecnologías como la CDMA 450 para poder brindar telefonía con número y tarifa de cualquier línea fija a zonas rurales. En el presente documento se da a conocer el estado de l

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http://repositorio.espe.edu.ec/handle/21000/10109

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