Zobrazeno 1 - 10
of 114
pro vyhledávání: '"Cai Daolin"'
Autor:
Song, Wen-Xiong, Tang, Qiongyan, Zhao, Jin, Veron, Muriel, Zhou, Xilin, Zheng, Yonghui, Cai, Daolin, Cheng, Yan, Xin, Tianjiao, Liu, Zhi-Pan, Song, Zhitang
While phase-change materials (PCMs) composed of chalcogenide have different crystallization mechanisms (CM), such as nucleation-dominated Ge2Sb2Te5 (GST) and growth-dominated GeTe (GT), revealing the essential reason of CM as well as the tuned proper
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2011.11159
Publikováno v:
In Materials Research Bulletin May 2022 149
Autor:
Wang, Zhiyu, Cai, Daolin
Publikováno v:
Electronics (2079-9292); Oct2024, Vol. 13 Issue 19, p3802, 8p
Autor:
WU Lei, CAI Daolin, CHEN Yifeng, LIU Yuanguang, YAN Shuai, LI Yang, YU Li, XIE Li, SONG Zhitang
Publikováno v:
Shanghai Jiaotong Daxue xuebao, Vol 55, Iss 9, Pp 1134-1141 (2021)
In order to explore the effects of continuous RESET operations and continuous SET operations on the endurance characteristic of phase change memory (PCM), the endurance characteristics of PCM at different ratios of RESET-SET times are studied based o
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6e9fccc7b4fd4ae79b117ce43ffdf2f6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Sb-rich CuSbTe material: A candidate for high-speed and high-density phase change memory application
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing 15 November 2019 103
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Solid State Electronics February 2011 56(1):13-17