Zobrazeno 1 - 10
of 92
pro vyhledávání: '"CUI Jiangwei"'
Publikováno v:
He jishu, Vol 45, Iss 5, Pp 49-54 (2022)
BackgroundTotal dose effect of silicon-on-insulator (SOI) devices can be reinforced through the back gate port, hence the device parameter degradation caused by irradiation can be compensated by applying back-gate bias voltage using the positive back
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/52b44d7ba260482cb8d46c03d0587b17
Publikováno v:
Yuanzineng kexue jishu, Vol 56, Iss 4, Pp 767-774 (2022)
The dynamic characteristics of silicon carbide VDMOS (SiC VDMOS) with different bias states under total dose radiation environment were studied. The effects of 60Co γ�ray irradiation on the threshold voltage and switching characteristics of SiC VD
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c2054653a81a437bafcde791047547ef
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Microelectronics Journal August 2020 102
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Results in Physics June 2019 13
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability February 2018 81:112-116