Zobrazeno 1 - 10
of 1 445
pro vyhledávání: '"CMOS-compatible"'
Autor:
Asghar Molaei-Yeznabad, Kambiz Abedi
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 14, Iss 1, Pp 1-24 (2024)
Abstract In this paper, we report a graphene-based plasmonic photodetector optimized using the particle swarm optimization (PSO) algorithm and compatible with complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS) technology. The proposed photodetector s
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b3b3ff9116b14a21ae8a139e50ce51d7
Autor:
Yong‐Bok Lee, Pan‐Kyu Choi, Min‐Ho Kang, Su‐Hyun Kim, Seung‐Jun Lee, Tae‐Soo Kim, So‐Young Lee, Jun‐Bo Yoon
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 10, Iss 9, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract The rapid growth of data‐intensive applications has significantly heightened the concerns about power consumption in current computing systems. From this perspective, there have been substantial efforts to implement ultra‐low power syste
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7ff507fafc994d549f8cf108e58aee0d
Autor:
Jie Zhang, Xiangdong Li, Jian Ji, Shuzhen You, Long Chen, Lezhi Wang, Zilan Li, Yue Hao, Jincheng Zhang
Publikováno v:
Micromachines, Vol 15, Iss 8, p 1005 (2024)
The application of GaN HEMTs on silicon substrates in high-voltage environments is significantly limited due to their complex buffer layer structure and the difficulty in controlling wafer warpage. In this work, we successfully fabricated GaN power H
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ed73fa2195c24def8aba5200b2633908
Autor:
Reinoud Wolffenbuttel, Declan Winship, David Bilby, Jaco Visser, Yutao Qin, Yogesh Gianchandani
Publikováno v:
Sensors, Vol 24, Iss 11, p 3597 (2024)
Fabry–Perot interferometers (FPIs), comprising foundry-compatible dielectric thin films on sapphire wafer substrates, were investigated for possible use in chemical sensing. Specifically, structures comprising two vertically stacked distributed Bra
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b74281b9fe714c7db0ee4e437e5aeec0
Publikováno v:
Sensors, Vol 24, Iss 10, p 3020 (2024)
In this study, a p-Si/ALD-Al2O3/Ti/Pt MOS (metal oxide semiconductor) device has been fabricated and used as a hydrogen sensor. The use of such a stack enables a reliable, industry-compatible CMOS fabrication process. ALD-Al2O3 has been chosen as it
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/bb792dcb7daf4762a19330248dba9a1f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.