Zobrazeno 1 - 10
of 117
pro vyhledávání: '"CMOS transistor"'
Publikováno v:
e-Prime: Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy, Vol 4, Iss , Pp 100167- (2023)
In this paper, two novel and compact structures of voltage-mode first-order all-pass filter are proposed. The first proposed structure is designed to provide non-inverting all-pass response only. It consists of only four MOS transistors and minimal n
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9e9a073dfdff4ea9ac2827cfd9aa15d9
Autor:
Mihai Popescu, Cristian Ravariu
Publikováno v:
Applied Sciences, Vol 14, Iss 1, p 310 (2023)
The importance of spinal reflexes is connected to the rehabilitation processes in neural prostheses and to the neuromuscular junction. In order to model neuron networks as electronic circuits, a simulation environment like LTSpice XVII or PSpice can
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/10ad456fa4094abc866d14cb08f66d8d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zahra Kolahdouz Esfahani, Massoud Tohidian, Henk van Zeijl, Mohammadreza Kolahdouz, Guoqi Zhang
Publikováno v:
IEEE Photonics Journal, Vol 9, Iss 2, Pp 1-13 (2017)
Given the performance decay of high-power light-emitting diode (LED) chips over time and package condition changes, having a reliable output light for sensitive applications is a point of concern. In this study, a light feedback control circuit, incl
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0d8f78afb9514037932bfd7d7af7d304
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Urena Acuna, Alejandro
Publikováno v:
Other. Université Paris-Saclay, 2021. English. ⟨NNT : 2021UPAST082⟩
Ionizing radiation causes malfunction in electronic systems, from miscalculations to a total device failure. At nanometric scale, high-energy radiation produces charges liable to be trapped in the insulating oxides of the device. These trapped charge
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::a51699fe345a643ae76c5e0ecc6b704d
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03339535/file/98798_URENA_ACUNA_2021_archivage.pdf
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03339535/file/98798_URENA_ACUNA_2021_archivage.pdf
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.