Zobrazeno 1 - 10
of 114
pro vyhledávání: '"CMOS image sensors (CIS)"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kaklin, Filip
Advancements in CMOS technologies continue to bring power consumption improvements in a wide range of applications, including CMOS Image Sensors (CIS). Within the broad field of image sensors, low power optimised CIS have emerged as a unique research
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______463::b2f8d27bd2dc1ab321898791328452d3
https://hdl.handle.net/1842/40678
https://hdl.handle.net/1842/40678
Autor:
Konstantin D. Stefanov, Martin J. Prest, Mark Downing, Elizabeth George, Naidu Bezawada, Andrew D. Holland
Publikováno v:
Sensors, Vol 20, Iss 7, p 2031 (2020)
A single-photon CMOS image sensor (CIS) design based on pinned photodiode (PPD) with multiple charge transfers and sampling is described. In the proposed pixel architecture, the photogenerated signal is sampled non-destructively multiple times and th
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/65148168b4a84a70bd47e87ed0cac07a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Sensors, Vol 18, Iss 1, p 118 (2018)
A new pinned photodiode (PPD) CMOS image sensor with reverse biased p-type substrate has been developed and characterized. The sensor uses traditional PPDs with one additional deep implantation step to suppress the parasitic reverse currents, and can
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/fc2835e62ab74a08bd0a200fc0a42eef
Publikováno v:
Sensors, Vol 9, Iss 1, Pp 131-147 (2009)
We present a single-transistor pixel for CMOS image sensors (CIS). It is a floating-body MOSFET structure, which is used as photo-sensing device and source-follower transistor, and can be controlled to store and evacuate charges. Our investigation in
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3f22214090434d139073cfe5549331df
Autor:
Cheng-Huan Chen, Sheng-Feng Lin
Publikováno v:
Applied Sciences, Vol 10, Iss 5302, p 5302 (2020)
Applied Sciences
Volume 10
Issue 15
Applied Sciences
Volume 10
Issue 15
Built-in autonomous stereo vision devices play a critical role in the autonomous docking instruments of space vehicles. Traditional stereo cameras for space autonomous docking use charge-coupled device (CCD) image sensors, and it is difficult for the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f8c18965720a05705afe4f002fa71932
https://www.mdpi.com/2076-3417/10/15/5302
https://www.mdpi.com/2076-3417/10/15/5302
Autor:
Martin J. Prest, Konstantin D. Stefanov, Naidu Bezawada, Elizabeth George, Mark Downing, Andrew D. Holland
Publikováno v:
Sensors, Vol 20, Iss 2031, p 2031 (2020)
Sensors (Basel, Switzerland)
Sensors
Volume 20
Issue 7
Sensors (Basel, Switzerland)
Sensors
Volume 20
Issue 7
A single-photon CMOS image sensor design based on pinned photodiode (PPD) with multiple charge transfers and sampling is described. In the proposed pixel architecture, the photogenerated signal is sampled non-destructively multiple times and the resu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b2dfb664b1b5031a0eedbfe5d6ca9818
https://www.mdpi.com/1424-8220/20/7/2031
https://www.mdpi.com/1424-8220/20/7/2031
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.