Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"CMOS 180-nm technology"'
Publikováno v:
Integration. 63:315-322
In this paper, we present a device for low-latency compressive pressure sensing based on the use of a piezoelectric material coupled to mixed-mode neuromorphic CMOS circuits. The sensing element is based on the POSFET (Piezoelectric Oxide-Semiconduct
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5f09ac226f9f949b6fd9f2accfc0aedc
https://doi.org/10.1016/j.vlsi.2018.04.006
https://doi.org/10.1016/j.vlsi.2018.04.006
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.