Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"CJM model"'
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 7, Pp 1191-1199 (2019)
The double-gate (DG) junction field-effect transistor (JFET) is a classical electron device, with a simple structure that presents many advantages in terms of device fabrication but also its principle of operation. The device has been largely used in
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e177792ee1594ca8a8d7bca5fb1dead2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 7, Pp 1191-1199 (2019)
Summarization: The double-gate (DG) junction field-effect transistor (JFET) is a classical electron device, with a simple structure that presents many advantages in terms of device fabrication but also its principle of operation. The device has been
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::69da9a70aa561fdd5635914e569d23e2
http://purl.tuc.gr/dl/dias/D7AA08D3-1073-4395-B202-EA4ECB7A1235
http://purl.tuc.gr/dl/dias/D7AA08D3-1073-4395-B202-EA4ECB7A1235
