Zobrazeno 1 - 10
of 250
pro vyhledávání: '"CHARGE LOCALIZATION"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Pouget, Jean-Paul
Publikováno v:
Comptes Rendus. Physique, Vol 22, Iss 1, Pp 37-87 (2021)
Vanadium dioxide exhibits a first order metal to insulator transition (MIT) at 340 K ($\mathrm{T}_{\mathrm{MI}}$) from a rutile (R) structure to a monoclinic ($\mathrm{M}_{1}$) structure. The mechanism of this transition interpreted as due either to
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f61ef7bcb82443fba392e9611cc65717
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Crystals, Vol 12, Iss 11, p 1586 (2022)
Hole polarons and defect-bound exciton polarons in lithium niobate are investigated by means of density-functional theory, where the localization of the holes is achieved by applying the +U approach to the oxygen 2p orbitals. We find three principal
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a23260bed9de40c69e06eb9124a52832
Publikováno v:
Конденсированные среды и межфазные границы, Vol 21, Iss 1, Pp 93-98 (2019)
Purpose. Layers of InxAl1-xAs, grown at the Novosibirsk Institute of Semiconductor Physics of the Siberian Branch of the Russian Academy of Science that are deliberately unalloyed by means of the MBE method on a semi-insulating substrate InP are wide
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/bd9f9ae8a8494ebda78a4e3bfb12b558
Autor:
Hsinhan Tsai, Cunming Liu, Eli Kinigstein, Mingxing Li, Sergei Tretiak, Mircea Cotlet, Xuedan Ma, Xiaoyi Zhang, Wanyi Nie
Publikováno v:
Advanced Science, Vol 7, Iss 7, Pp n/a-n/a (2020)
Abstract Light‐emitting diodes (LEDs) made with quasi‐2D/3D and layered perovskites have undergone an unprecedented surge as their external quantum efficiency (EQE) is rapidly approaching other lighting technologies. Manipulating the charge recom
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6cd160e112ec46869442a3b906fe075c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.