Zobrazeno 1 - 10
of 131
pro vyhledávání: '"C.Y. Sung"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Planetary and Space Science. 184:104872
Here we report on a two year continuous survey to examine possible VLF signals associated with meteors brighter than magnitude -5. Our survey allowed both calibrated temporal and spatial correlations between VLF signals and fireball lightcurves. We u
Autor:
Joseph J.Y. Sung, Joanne C.Y. Sung, Jiayun Shen, Minnie Y.Y. Go, Tung On Yau, Liwei Lu, Jun Deng, Kwan Man, Jun Yu, Vincent Wai-Sun Wong, Eagle S. H. Chu, Geoffrey C. Farrell, Xiang Zhang
Publikováno v:
ResearcherID
Background & Aims Perpetuate liver inflammation is crucial in the pathogenesis of non-alcoholic steatohepatitis (NASH). Expression of CXCL10, a pro-inflammatory cytokine, correlates positively with obesity and type 2 diabetes. Whether CXCL10 plays a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
D. Schepis, C.Y. Sung, H. Yin, B. Kim, B. Yang, M. Khare, L. Black, C. D. Sheraw, Donggun Park, H.V. Meer, X. Chen, J. Johnson, Andrew Waite, K. Nummy, H. Gossmann, P. Agnello, Philip A. Fisher, Scott Luning, S. Narasimha, D. Chidambarrao, Judson R. Holt, S. D. Kim, D. Wehella-gamage, Y. Liu
Publikováno v:
2007 IEEE Symposium on VLSI Technology.
This work demonstrates that the ~2times mobility advantage of (110) PMOS over (100) PMOS is maintained down to 190 nm liners poly-pitch for devices under compressive stress. (110) PMOS with 3.5 GPa compressively stressed liners demonstrate strong cha
Autor:
P. Agnello, T. Ivers, C. Warm, R. Wise, R. Wachnik, D. Schepis, S. Sankaran, J. Norum, S. Luning, Y. Li, M. Khare, A. Grill, D. Edelstein, X. Chen, D. Brown, R. Augur, S. Wu, J. Yu, R.C. Wong, J. Werking, D. Wehella-Gamage, A. Vayshenker, H. Van Meer, R. Van Den Nieuwenhuizen, C. Tian, K. Tabakman, C.Y. Sung, T. Standaert, A. Simon, J. Sim, C. Sheraw, D. Restaino, W. Rausch, R. Pal, C. Prindle, X. Ouyang, C. Ouyang, V. Ontalus, K. Nummy, D. Nielsen, L. Nicholson, A. McKnight, N. Lustig, X. Liu, M.H. Lee, D. Lea, G. Larosa, W. Landers, B. Kim, M. Kelling, S.-J. Jeng, J. Holt, M. Hargrove, S. Grunow, S. Greco, S. Gates, A. Frye, P. Fisher, A. Domenicucci, C. Dimitrakopoulos, G. Costrini, A. Chou, J. Cheng, S. Butt, L. Black, M. Belyansky, I. Ahsan, T. Adam, A. Gabor, C.-H.J. Wu, D. Yang, M. Crouse, C. Robinson, D. Corliss, C. Fonseca, J. Johnson, M. Weybright, A. Waite, H.M. Nayfeh, K. Onishi, S. Narasimha
Publikováno v:
2006 International Electron Devices Meeting.
We present a 45-nm SOI CMOS technology that features: i) aggressive ground-rule (GR) scaling enabled by 1.2NA/193nm immersion lithography, ii) high-performance FET response enabled by the integration of multiple advanced strain and activation techniq