Zobrazeno 1 - 10
of 343
pro vyhledávání: '"C.W. Huang"'
Autor:
C.W. Huang, 黃致文
93
Recent years, MESFET’s has been considerable due to it can satisfy the ULSI technology. However, there are very few models for three-dimensional SOI-MESFET’s device. In this case, three-dimensional SOI-MESFET model explores the short-chan
Recent years, MESFET’s has been considerable due to it can satisfy the ULSI technology. However, there are very few models for three-dimensional SOI-MESFET’s device. In this case, three-dimensional SOI-MESFET model explores the short-chan
Externí odkaz:
http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/44706833434546827603
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Y.C. Liao, P.S. Chen, P.H. Tsai, J.S.C. Jang, K.C. Hsieh, H.W. Chang, C.Y. Chen, J.C. Huang, H.J. Wu, Y.C. Lo, C.W. Huang, I.Y. Tsao
Publikováno v:
Intermetallics. 143:107470
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cede704624a590e2a3b2bc833a7c8c0a
https://doi.org/10.1016/j.intermet.2022.107470
https://doi.org/10.1016/j.intermet.2022.107470
Autor:
Truls Østbye, C.W. Huang, T.Y. Cheng, Yu Heng Kwan, Julian Thumboo, L.Y.C. Ho, Sungwon Yoon, Eng-Hui Chew, Lian Leng Low
Publikováno v:
Diabetesmetabolism. 46(6)
Background Diabetes is a chronic disease associated with a variety of complications, and nudging may be a potential solution to improve diabetes control. Since nudging is a new concept, no review of literature on nudging diabetic patients into improv
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::76ae672806f8ef703eec7e3a7e1e0552
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/32387700
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/32387700
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
C.W. Huang, L. Holcman, D. Fung, H.V. Meer, C.F. Hsu, C.H. Chen, J. Fernandez, Benjamin Colombeau, Y.T. Tasi, B.N. Guo, H.P. Chen, Kyu-Ha Shim, J. Kuo, H.C. Feng, M. Hou, S.A. Huang, K. Nafisr, S.Y. Liu, J.C. Lin, T.Y. Wen, G.C. Hung, C.l. Li, S. Lee, N.H. Yang, B. Yang, J.Y. Wu, C.C. Huang
Publikováno v:
2019 Symposium on VLSI Technology.
In advanced FinFET devices, STI gap fill and $\vert \text{LD}_{0}$ stress are responsible for fin defects, fin bending as well as device performance degradations due to the local layout effect (LLE). In this paper, for the first time, we look at diff
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8fa75ef549216eb99834f908eeeebe5a
https://doi.org/10.23919/vlsit.2019.8776517
https://doi.org/10.23919/vlsit.2019.8776517
Autor:
C.W. Huang, T.Y. Huang
Publikováno v:
Gerontechnology. 19:1-1
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::64b45a742461c12195e6a74b13ed2ec4
https://doi.org/10.4017/gt.2020.19.s.69863
https://doi.org/10.4017/gt.2020.19.s.69863
Publikováno v:
European Journal of Surgical Oncology. 45:e57
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::780ee618382ac2050757c54885f7d748
https://doi.org/10.1016/j.ejso.2018.10.217
https://doi.org/10.1016/j.ejso.2018.10.217
Publikováno v:
European Journal of Surgical Oncology. 45:e149
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::63797ae146cb6467591016c8ecb55a75
https://doi.org/10.1016/j.ejso.2018.10.500
https://doi.org/10.1016/j.ejso.2018.10.500