Zobrazeno 1 - 10
of 305
pro vyhledávání: '"C.T. Adams"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Khuu, Alexandre1,2 (AUTHOR) alexandre.khuu@servier.com, Verreault, Maïté1 (AUTHOR) maite.verreault@icm-institute.org, Colin, Philippe2 (AUTHOR), Tran, Helene2 (AUTHOR) helene.tran@servier.com, Idbaih, Ahmed1 (AUTHOR) helene.tran@servier.com
Publikováno v:
Cells (2073-4409). Nov2024, Vol. 13 Issue 22, p1869. 20p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Baker & Taylor Author Biographies; 1/4/2000, p1-1, 1p
Publikováno v:
Baker & Taylor Author Biographies; 1/4/2000, p1-1, 1p
Publikováno v:
Baker & Taylor Author Biographies; 1/4/2000, p1-1, 1p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J.D. Luttmer, B. van Schravendijk, Kelly J. Taylor, J.S. Martin, C.T. Adams, A. Bayman, T.D. Bonifield, Jeff West, A.K.R. Ralston, E.M. Mickler, K.-H. Chew, S. Bolnedi
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE 2001 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.01EX461).
We report process characterization for a fluorosilicate glass (FSG), developed specifically for copper/damascene, where both the via and the line are embedded in FSG (K/spl les/3.65) at 6 levels. We compare FSG films deposited in both high density pl
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bf79ab972a8fd97c457359b505996d50
https://doi.org/10.1109/iitc.2001.930010
https://doi.org/10.1109/iitc.2001.930010