Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"C.O. Maiga"'
Publikováno v:
2005 European Conference on Power Electronics and Applications.
The work presented in this paper is concerned with the effects of a high temperature gate bias (HTGB) and a high temperature reverse bias (HTRB) stresses on non-punch-through IGBTs. The stresses were achieved during 1200 hours at 140degC. A particula
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE International Symposium on Industrial Electronics, 2005. ISIE 2005..
The work presented in this paper is concerned with the effects of a positive and of a negative gate bias stress on punch-through insulated gate bipolar transistors (PT-IGBT's). Two selections of PT IGBT's all of the same nominal range were gate biase
Publikováno v:
2004 IEEE International Symposium on Industrial Electronics.
The work presented in this paper is concerned with the effects of a high temperature gate bias (HTGB) stress on punch-through (PT) and non-punch-through (NPT) insulated gate bipolar transistors (IGBTs). A selection of PT IGBTs and a selection of NPT
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.