Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"C.M. Laighton"'
Autor:
R.E. Leoni, C.S. Whelan, William E. Hoke, Thomas E. Kazior, P.F. Marsh, J.B. Hunt, C.M. Laighton, Y. Zhang
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 24:529-531
An optoelectronic integrated circuit operating in the 1.55-/spl mu/m wavelength range was realized on GaAs substrate through metamorphic technology. High indium content layers, metamorphically grown on a GaAs substrate, were used to fabricate the opt
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bd4911cf1a41363615304b74ad8291c8
https://doi.org/10.1109/led.2003.815432
https://doi.org/10.1109/led.2003.815432
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.