Zobrazeno 1 - 10
of 51
pro vyhledávání: '"C.L. Keast"'
Autor:
Peter G. Murphy, D. R. Arsenault, D.C. Shaver, Alfredo C. Anderson, Robert Berger, W.G. Lyons, C.L. Keast, T. C. L. G. Sollner, R.W. Ralston
Publikováno v:
IEEE Transactions on Appiled Superconductivity. 7:2462-2467
A novel compressive cryoreceiver architecture has been proposed combining analog HTS, cryoelectronic, and advanced high-speed GaAs and high-speed/low-power SOI CMOS semiconductor technologies. The proposed receiver will rival the sensitivity of narro
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::859b3f246604c234f26fc1d891b55d37
https://doi.org/10.1109/77.621738
https://doi.org/10.1109/77.621738
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 26:537-541
A dynamic associative processor cell is described. The cell stores three states (0, 1, and X) and performs read, match, and masked-write functions. Five MOS transistors are used, including two overlapping dual-gate structures available in MIT's CCD/C
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::117eb1b36e45d641c074521e5a0e4d4e
https://doi.org/10.1109/4.75051
https://doi.org/10.1109/4.75051
Autor:
C.K. Chen, C.L. Chen, P.W. Wyatt, P. Gouker, J.A. Burns, D.R.W. Yost, V. Suntharalingam, C.L. Keast
Publikováno v:
2003 IEEE International Conference on SOI.
In this paper, we have identified and corrected two different mechanisms giving rise to low threshold parasitic channels and subthreshold shoulders in our FDSOI process. PMOS shoulders resulting from local gate penetration were eliminated by incorpor
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b80576cd3ed386e5739df49ad60ae218
https://doi.org/10.1109/soi.2003.1242889
https://doi.org/10.1109/soi.2003.1242889
Publikováno v:
1995 IEEE International SOI Conference Proceedings.
For future VLSI technologies, ensuring acceptable device isolation becomes increasingly important. In this study, fundamental variables for submicrometer LOCOS isolation including the top-layer silicon thickness, the stress-relief-oxide (SRO) thickne
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fa9a0ec6f391a70c7b56c36e78b836ce
https://doi.org/10.1109/soi.1995.526488
https://doi.org/10.1109/soi.1995.526488
Publikováno v:
Digest of Technical Papers., 1990 Symposium on VLSI Circuits.
A dynamic associative processor cell is described which stores three states (0, 1, and X) and performs read, match, and masked-write functions. Five MOS transistors are used, including two dual-gate structures available in MIT's CCD/CMOS technology.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c2732628e762df0ee878b15a02946618
https://doi.org/10.1109/vlsic.1990.111101
https://doi.org/10.1109/vlsic.1990.111101
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.