Zobrazeno 1 - 10
of 97
pro vyhledávání: '"C.K. Peng"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
International Electron Devices and Materials Symposium.
We have demonstrated a molecular beam epitaxy (MBE) regrowth technique on GaAs Substrate using thin In-passivation layer. After the growth of buffer layers, the substrate temperature was lowered to deposit a thin In layer at about 50/spl deg/C, to en
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2125933013bfa63d69d8469636fd4e52
https://doi.org/10.1109/edms.1994.771303
https://doi.org/10.1109/edms.1994.771303
Publikováno v:
International Electron Devices and Materials Symposium.
We have investigated the current voltage characteristics of In/sub 0.3/Ga/sub 0.7/As/In0.29/Al/sub 0.71/As double-barrier resonant tunneling diodes grown on GaAs substrates. These devices exhibit peak-to-valley current ratios as high as 7.6 and 19.5
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b05d9046e1dc28b7f1821b3c9364097d
https://doi.org/10.1109/edms.1994.771193
https://doi.org/10.1109/edms.1994.771193
Publikováno v:
Electronics Letters. 30:826-828
The authors investigate the current-voltage characteristics of In/sub 0.3/Ga/sub 0.7/As/In/sub 0.29/Al/sub 0.71/As double-barrier resonant tunnelling diodes grown on GaAs substrates. These devices exhibit peak-to-valley current ratios as high as 7.6
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::598a6237e1f133f2c4b1f8b6b21fa653
https://doi.org/10.1049/el:19940435
https://doi.org/10.1049/el:19940435
Publikováno v:
Autonomic Neuroscience. 163:98
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dbf64a4938059cba31f64e13f1c424df
https://doi.org/10.1016/j.autneu.2011.05.166
https://doi.org/10.1016/j.autneu.2011.05.166
Publikováno v:
Parkinsonism & Related Disorders. 16:S52
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c7f8e227d8caeaa662e973e058f01499
https://doi.org/10.1016/s1353-8020(10)70180-2
https://doi.org/10.1016/s1353-8020(10)70180-2
Publikováno v:
Journal of Neurotrauma; Feb2009, Vol. 26 Issue 2, p227-233, 7p
Publikováno v:
Electronics Letters. 27:2379
A high-speed and high-sensitivity planar GaAs/Al0.3Ga0.7As heterostructure Schottky barrier photodiode grown on p-type silicon substrate by molecular beam epitaxy (MBE) has been studied. Growth of a thermally strained superlattice (TSL) buffer layer
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::de2e5b20035583ae3a754564bfb83fe9
https://doi.org/10.1049/el:19911473
https://doi.org/10.1049/el:19911473
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.