Zobrazeno 1 - 10
of 208
pro vyhledávání: '"C.K Chao"'
Publikováno v:
Ceramics International. 48:37075-37084
Autor:
Hsing-Pang Lu, Chuck C.K Chao
Publikováno v:
Biomedical Journal, Vol 35, Iss 6, Pp 464-474 (2012)
The efficacy of cancer chemotherapy is often affected by the emergence of resistant cancer cells. While biochemical and pharmacological mechanisms have been proposed to explain chemoresistance, the genes involved in this process have not been
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/eb39cd08272c4b61ae1cef226bd8f4dc
Publikováno v:
ION Pacific PNT.
Autor:
C.K. Chao, Alief Wikarta
Publikováno v:
Applied Mathematical Modelling. 40:2454-2472
The interaction between a crack and a circularly cylindrical layered media under a remote uniform load for plane elasticity is investigated. Based on the method of analytical continuation associated with the alternation technique, the solutions to th
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Procedia Engineering. 1:5-8
In this study we propose a rupture criterion for the creep crack growth in Zircaloy cladding on spent fuel in interim storage. Based on the creep fracture mechanics parameter, C∗, and the strain energy density criteria, the relationship between the
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 256:107-115
The temperature and stress fields for crystal growth in a vertical Bridgman furnace are studied thoroughly using the finite difference method. The macroscopic solid–liquid interface shape strongly influences the thermal stresses, incidence of polyc
Publikováno v:
Materials Chemistry and Physics. 77:411-415
Reactive ion etching (RIE) of GaN and InGaN using BCl 3 plasma under a high self-bias voltage was carried out. The effects of rf plasma power, chamber pressure and BCl 3 flow rate on the etch rate were investigated. An etch rate as high as 132 nm min
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.