Zobrazeno 1 - 10
of 58
pro vyhledávání: '"C.J. Mogab"'
Autor:
R. Moazzami, P. Maniar, Rajesh Khamankar, Robert E. Jones, Junsung Lee, C.J. Mogab, C. Sudhama, Bo Jiang, Jiyoung Kim
Publikováno v:
Proceedings of 1994 VLSI Technology Symposium.
Very low leakage current density (5/spl times/10/sup -7/ A/cm/sup 2/ even at 125/spl deg/C) and high charge storage density (100 fCspl mu/m/sup 2/) under V/sub DD2=1 V conditions have been achieved using 5% La doped PZT films for gigabit DRAM capacit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4be964f5c1d5807744c6bbbbb191dd6d
https://doi.org/10.1109/vlsit.1994.324412
https://doi.org/10.1109/vlsit.1994.324412
Publikováno v:
Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America. 50:1364-1365
Lead zirconium titanate films (Pb (Zr,Ti) O3 or PZT) are being considered for potential application as dielectric films in memory technology due to their high dielectric constants. PZT is a ferroelectric material which shows spontaneous polarizabilit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3af8fa634189c7307e8d141d20570f04
https://doi.org/10.1017/s0424820100131450
https://doi.org/10.1017/s0424820100131450
Publikováno v:
Materials Letters. 4:154-158
The plasma conversion of an organosilicon film to SiO 2 is inhibited in a parallel plate reactor compared to the conversion in a barrel reactor. The energetic ions present in a planar configuration inhibit the conversion of the film by modifying the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::08b56f27b29c87de0c1556b6f3b7916c
https://doi.org/10.1016/0167-577x(86)90007-8
https://doi.org/10.1016/0167-577x(86)90007-8
Autor:
Hirotsugu Yasuda, John A. Thornton, C.J. Mogab, Harold F. Winters, John F. Evans, Robert P. H. Chang
Publikováno v:
Materials Science and Engineering. 70:53-77
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0152fedb56e807dd65d6a2a99baf4f4b
https://doi.org/10.1016/0025-5416(85)90268-x
https://doi.org/10.1016/0025-5416(85)90268-x
Autor:
J.A. Sauvage, C.J. Mogab
Publikováno v:
Journal of Non-Crystalline Solids. :607-613
Tunneling through an oxide barrier into amorphous silicon was investigated between liquid nitrogen and room temperatures. The tunneling junctions consisted of platinum, silicon oxide, and amorphous silicon in a sandwich configuration. The tunneling c
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2e9aea491ffae562cff39fc4f9b57d6f
https://doi.org/10.1016/0022-3093(72)90199-8
https://doi.org/10.1016/0022-3093(72)90199-8
Autor:
C.J. Mogab
Publikováno v:
1979 International Electron Devices Meeting.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::07b2ec1485545867668164d0abe17eaf
https://doi.org/10.1109/iedm.1979.189716
https://doi.org/10.1109/iedm.1979.189716
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.