Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"C.G. Faltermeier"'
Autor:
William F. Landers, D.K. Manger, Henry A. Nye, Sampath Purushothaman, Ronald D. Goldblatt, Naftali E. Lustig, Andrew H. Simon, Sandra G. Malhotra, Erdem Kaltalioglu, S Das, M. Stetter, Soon-Cheon Seo, Chenming Hu, J.B. Connolly, Timothy J. Dalton, John A. Fitzsimmons, Charles R. Davis, Birendra N. Agarwala, John E. Heidenreich, Andy Cowley, Daniel C. Edelstein, M.B. Anand, Spooner Terry A, Alina Deutsch, Vincent J. McGahay, H. Rathore, P.A. Emmi, Richard A. Wachnik, Mahadevaiyer Krishnan, P. Jones, Timothy M. Shaw, Stephan A. Cohen, J.G. Ryan, G. A. Biery, Z.G. Chen, Edward Barth, C.G. Faltermeier, J. L. Hedrick, Junjun Liu, C. DeWan, J.P. Hummel, B.E. Kastenmeier, Eric G. Liniger, R. Mih
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE 2000 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.00EX407).
The integration of dual damascene copper with low-k dielectric at the 0.13 /spl mu/m technology node is described. Up to five levels of copper wiring at three different metal pitches is provided in a spin-on organic inter metal dielectric (SiLK/sup T
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f502d66db4977250b7a53f4d4d4abd29
https://doi.org/10.1109/iitc.2000.854342
https://doi.org/10.1109/iitc.2000.854342
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.