Zobrazeno 1 - 10
of 11
pro vyhledávání: '"C.E.C. Dam"'
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth, 307, 1, pp. 19-25
Journal of Crystal Growth, 307, 19-25
Journal of Crystal Growth, 307, 19-25
In this paper, a study is presented on the effect of In on the surface morphology of GaN grown by HVPE. Experiments are performed with N2 and H2 as the carrier gasses, both with and without In present in the reactor. The adding of In increases the mo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a41a14a92696a9a460d1ebf05ab4cd03
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2007.06.005
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2007.06.005
Publikováno v:
Surface & Coatings Technology, 201, 22-23, pp. 8878-8883
Surface & Coatings Technology, 201, 8878-8883
Surface & Coatings Technology, 201, 8878-8883
We have constructed a hydride vapor phase epitaxy (HVPE) reactor capable of producing four inch Gallium Nitride wafers. The design is based on a previously built and successfully operated two inch wafer system [Dam C.E.C., Grzegorczyk A.P., Hageman P
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::41472e461e77382f71291cde3e497647
https://hdl.handle.net/2066/36433
https://hdl.handle.net/2066/36433
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth, 285, 31-40
Journal of Crystal Growth, 285, 1-2, pp. 31-40
Journal of Crystal Growth, 285, 1-2, pp. 31-40
The results of an experimental and numerical study on the effect of carrier gas on the HVPE growth of GaN in a horizontal reactor are reported. A surprising result is that both the maximum and the total growth rate under 85 vol% H 2 are higher than u
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0071a43fbe3bdcbd102b98e1dafe4758
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.08.006
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.08.006
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth, 271, 192-199
Journal of Crystal Growth, 271, 1-2, pp. 192-199
Journal of Crystal Growth, 271, 1-2, pp. 192-199
In the study, presented in this paper, the growth of GaN layers by Hydride vapour phase epitaxy was investigated both experimentally and numerically. Modelling the flows in the reactor, combined with basic chemistry, gives a good approximation to the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::eb51b0d732bd1d07e982f61363bb6fdc
http://hdl.handle.net/2066/112597
http://hdl.handle.net/2066/112597
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.