Zobrazeno 1 - 10
of 60
pro vyhledávání: '"C.E. Norman"'
Autor:
A. R. Pratt, V. K. Gupta, M. Dion, Z. R. Wasilewski, F. Chatenoud, R. L. Williams, M. R. Fahy, C.E. Norman, A. Marinopoulou
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
In this report, we present data on an InGaAs/GaAs strained single quantum well laser with the lowest reported threshold current density to date, namely 44 A cm−2 for a 3 mm cavity length. This was grown by solid-source molecular-beam epitaxy with t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b5d07cc2bd159c5bb98adb562694bff8
https://doi.org/10.1139/p96-820
https://doi.org/10.1139/p96-820
Autor:
V. K. Gupta, Z. R. Wasilewski, R. L. Williams, A. R. Pratt, M. Dion, P. Chow-Chong, C.E. Norman
Publikováno v:
Conference Digest. 15th IEEE International Semiconductor Laser Conference.
The migration of indium on patterned substrates during MBE growth is found to be strongly dependent upon the arsenic species used. InGaAs-GaAs SQW lasers grown on narrow mesas using AS/sub 4/ exhibited 70-meV redshifts, while those grown using As/sub
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0b0e23f08366fb2010fce54ce145b45d
https://doi.org/10.1109/islc.1996.553768
https://doi.org/10.1109/islc.1996.553768
Publikováno v:
Conference Proceedings LEOS'96 9th Annual Meeting IEEE Lasers and Electro-Optics Society.
Semiconductor lasers emitting at 1.3 /spl mu/m and 1.55 /spl mu/m wavelengths are of particular interest because of their application in optical fibre communication systems. In this work, we investigate for the first time the process of indium migrat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::01ce073d5db256e4fc6aa90d0efe34a7
https://doi.org/10.1109/leos.1996.571583
https://doi.org/10.1109/leos.1996.571583
Autor:
C.E. Norman, R.E. Thomas
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 27:731-737
Numerical modeling of inversion-layer (IL) solar cells is described. The steady-state continuity equations are solved for both electrons and holes. A novel integrated recombination technique is applied to accurately find the one-dimensional current f
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::08d743fd833ae6ec16e5c51ade0098ae
https://doi.org/10.1109/t-ed.1980.19929
https://doi.org/10.1109/t-ed.1980.19929
Autor:
R.E. Thomas, C.E. Norman
Publikováno v:
1975 International Electron Devices Meeting.
A recently developed induced junction solar cell (1) has been electrically characterized to determine its performance and how it may be improved through process optimization. Prototype cells are described in terms of their structure, fabrication and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::794db95e14242a3ebc36adfc2b741574
https://doi.org/10.1109/iedm.1975.188866
https://doi.org/10.1109/iedm.1975.188866
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.