Zobrazeno 1 - 10
of 37
pro vyhledávání: '"C.E. Hooper"'
Autor:
P.B. Janke, M. Hu, D.S. Harvey, L.D. Nguyen, S.R. Burkhart, R.D. Widman, J.J. Brown, Daniel P. Docter, C.E. Hooper, K. Kiziloglu
Publikováno v:
1999 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest (Cat. No.99CH36282).
We report AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMTs with high efficiency and power output, suitable for use in K and Ka-band applications. On-wafer active load-pull measurements were performed at 20 GHz on double-recessed devices with a gatelength (L/sub g/) of 0.14
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f91cc278cfd6145d303a8ef93e2643e3
https://doi.org/10.1109/mwsym.1999.779852
https://doi.org/10.1109/mwsym.1999.779852
Low-temperature buffer AlInAs/GaInAs on InP HEMT technology for ultra-high-speed integrated circuits
Autor:
April S. Brown, Lawrence E. Larson, Joseph F. Jensen, U.K. Mishra, C.S. Chou, C.E. Hooper, M.S. Thompson, M.J. Delaney, L.D. Nguyen
Publikováno v:
11th Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium.
A report is presented on the development of a planar low-temperature buffer AlInAs/GaInAs on InP high-electron-mobility transistor (HEMT) technology for use in digital and analog integrated circuits. This technology is attractive for circuit applicat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::840b5d64905a906ab503ab0219186fe4
https://doi.org/10.1109/gaas.1989.69313
https://doi.org/10.1109/gaas.1989.69313
Autor:
M.A. Thompson, L.M. Jelloian, L.D. Nguyen, M.A. Melendes, April S. Brown, C.E. Hooper, M.J. Delaney, U.K. Mishra, Lawrence E. Larson
Publikováno v:
International Technical Digest on Electron Devices Meeting.
The scaling of the vertical dimensions of 0.15- mu m-gate-length Al/sub 0.48/In/sub 0.52/As-Ga/sub 0.47/In/sub 0.53/As high-electron-mobility transistors (HEMTs) to reduce their well-known excessive gate leakage current, premature breakdown voltage,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8f5fe97e162e0e0147c9625a6d19e814
https://doi.org/10.1109/iedm.1989.74238
https://doi.org/10.1109/iedm.1989.74238
Publikováno v:
Proceedings IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits.
This paper demonstrates a high uniformity 75 GHz (f/sub /spl tau//) GaInAs junction HEMT (JHEMT) technology with /spl plusmn/5 percent variations in the DC and RF parameters using a selective dry-etch gate process. This technology is attractive for t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7434c7da60cc64c7014d632b37d967cf
https://doi.org/10.1109/cornel.1995.482550
https://doi.org/10.1109/cornel.1995.482550
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
U.K. Mishra, C.S. Chou, Lawrence E. Larson, M.A. Melendes, M. Thompson, S.E. Rosenbaum, C.E. Hooper, M.J. Delaney, April S. Brown
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 10:565-567
Low-temperature AlInAs buffer layers incorporated in AlInAs-GaInAs HEMT epitaxial layers grown by MBE are discussed. A growth temperature of 150 degrees C followed by a short anneal is shown to eliminate kinks in the device I-V characteristic and sid
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cfe7ce6cddb521e5ca2c2c6e8d3f4e63
https://doi.org/10.1109/55.43141
https://doi.org/10.1109/55.43141
Autor:
K. White, S. Vaughn, April S. Brown, S.E. Rosenbaum, M.J. Delaney, M.W. Pierce, C.E. Hooper, U.K. Mishra
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 9:647-649
The millimeter-wave performance is reported for Al/sub 0.48/In/sub 0.52/As-Ga/sub 0.47/In/sub 0.53/As high-electron-mobility transistors (HEMTs) with 0.2- mu m and 0.1- mu m-long gates on material grown by molecular-beam epitaxy on semi-insulating In
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a490a5d8bbe30416d797a5842ccca39f
https://doi.org/10.1109/55.20424
https://doi.org/10.1109/55.20424
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.