Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"C.D. Gosmeyer"'
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 20:61-69
A manufacturable self-aligned titanium silicide process which simultaneously silicides both polysilicon gates and junctions has been developed for VLSI applications. The process produces silicided gates and junctions with sheet resistances of 1.0-2.0
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8e720e9c7647fe1f5af1c25038a0a857
https://doi.org/10.1109/jssc.1985.1052277
https://doi.org/10.1109/jssc.1985.1052277
Publikováno v:
1982 International Electron Devices Meeting.
A MOSFET biased in the subthreshold region is discussed as a simple means of realizing a high impedance load (100 Mohm - 50 Gohm) for NMOS sRAMs. The MOSFET is connected like a depletion load (V gs = 0 V), but has a positive threshold (0.2-0.3 V). Sh
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::912fc42e24b6836ba004789d751b767a
https://doi.org/10.1109/iedm.1982.190371
https://doi.org/10.1109/iedm.1982.190371
Autor:
H.E. Davis, Ashwin H. Shah, Roger A. Haken, Larry R. Hite, Pallab K. Chatterjee, C.D. Gosmeyer, Satwinder Malhi, R. Sundaresan, C.-E. Chen, S.S. Mahant-Shetti, R.V. Karnaugh, H.W. Lam, R.K. Hester, R.F. Pinizzotto
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 31:1981-1981
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c664712867eddcffc56f15dea689acd3
https://doi.org/10.1109/t-ed.1984.21876
https://doi.org/10.1109/t-ed.1984.21876
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.