Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"C.C. Hsue"'
Autor:
J.Y. Pan, Caleb Yu-Sheng Cho, Jung-Chang Lu, A. Hsu, Chi-Wei Hung, H.H. Kuo, Da Sung, C.L. Chen, Vincent Huang, P. Tuntasood, Der-Tsyr Fan, I.C. Chuang, Chi-Shan Wu, Cheng-Yuan Hsu, B. Sheen, C.C. Hsue, K. Tseng, S.C. Chen, Chiou-Feng Chen
Publikováno v:
Digest of Technical Papers. 2004 Symposium on VLSI Technology, 2004..
For the first time, split-gate NAND flash memory featuring interpoly erase and mid-channel programming is demonstrated at 120nm technology node. The cell array operates at single polarity voltages lower than 12V. Erase and programming can be accompli
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::114d362957e69dd2b13b8c0b142ab45b
https://doi.org/10.1109/vlsit.2004.1345403
https://doi.org/10.1109/vlsit.2004.1345403
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.