Zobrazeno 1 - 10 of 231 pro vyhledávání: '"C.. Guedj"'
1
Akademický článek
Cognitive enrichment through art: a randomized controlled trial on the effect of music or visual arts group practice on cognitive and brain development of young children
Autor: C. E. James, M. Tingaud, G. Laera, C. Guedj, S. Zuber, R. Diambrini Palazzi, S. Vukovic, J. Richiardi, M. Kliegel, D. Marie
Publikováno v: BMC Complementary Medicine and Therapies, Vol 24, Iss 1, Pp 1-22 (2024)
Abstract Background The optimal stimulation for brain development in the early academic years remains unclear. Current research suggests that musical training has a more profound impact on children's executive functions (EF) compared to other art for
Externí odkaz: https://doaj.org/article/739a58c091e542c4b0f3367fa772b5f3
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Improvement of performances HfO 2 -based RRAM from elementary cell to 16 kb demonstrator by introduction of thin layer of Al 2 O 3
Autor: A. Benoist, S. Bernasconi, G. Audoit, C. Guedj, Philippe Candelier, C. Fenouillet-Beranger, T. Dewolf, L. Perniola, E. Jalaguier, S. Jeannot, C. Charpin, Stephane Denorme, E. Vianello, M. Azzaz, Daniele Garbin, C. Cagli
Publikováno v: Solid-State Electronics. 125:182-188
In this article, the reliability of HfO2-based RRAM devices integrated in an advanced 28 nm CMOS 16 kbit demonstrator is presented. In order to improve the memory performance, a thin Al2O3 layer is inserted in the HfO2-based memory stack (TiN/Ti/HfO2
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::69d5eccfc71c5f64a81a84ad88c54bc6
https://doi.org/10.1016/j.sse.2016.07.007
Zobrazit plný text záznamu
7
Electrical 1D tomography of nanofilaments using in-operando electrical characterization of Pt/NiO/Pt resistive memory cells during FIB milling
Autor: C. Guedj, Eugénie Martinez, G. Auvert
Publikováno v: Microelectronic Engineering. 156:78-81
Electrical characterization during focused ion beam (FIB) milling of an elementary Pt/NiO/Pt resistive memory cell is used to localize the conducting channels and to estimate the size and shape of the conducting nanofilament. A good agreement is foun
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2b973ddd2d7813fcf7973bf9104ccdd4
https://doi.org/10.1016/j.mee.2015.10.020
Zobrazit plný text záznamu
8
Thin layer etching of low-k SiCO spacer using hydrogen ion implantation followed by hydrofluoric acid
Autor: Olivier Pollet, G. Audoit, C. Guedj, Sébastien Barnola, Daniel Benoit, Maxime Garcia-Barros, Francois Leverd, Audrey Jannaud, Nicolas Posseme
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology B Microelectronics and Nanometer Structures
Journal of Vacuum Science & Technology B Microelectronics and Nanometer Structures, 2018, 36 (5), pp.052201. ⟨10.1116/1.5038617⟩
Journal of Vacuum Science & Technology B Microelectronics and Nanometer Structures, American Vacuum Society (AVS), 2018, 36 (5), pp.052201. ⟨10.1116/1.5038617⟩
International audience; Spacer etching realization is considered today as one of the most critical processes for the fully depleted silicon on insulator devices realization. The challenge arises from the fact that low-k spacer needs to be introduced
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::25bad278b7bb95f625fbfd1e6f332c7e
https://cea.hal.science/cea-02185184/document
Zobrazit plný text záznamu
9
Understanding of a new approach for silicon nitride spacer etching using gaseous hydrofluoric acid after hydrogen ion implantation
Autor: Sébastien Barnola, Névine Rochat, Olivier Pollet, C. Guedj, Vincent Ah-Leung, Maxime Garcia Barros, Nicolas Posseme, G. Audoit
Publikováno v: Journal of Vacuum Science and Technology A
Journal of Vacuum Science and Technology A, American Vacuum Society, 2017, 35 (2), pp.021408. ⟨10.1116/1.4977077⟩
Journal of Vacuum Science & Technology A
Journal of Vacuum Science & Technology A, 2017, 35 (2), pp.021408. ⟨10.1116/1.4977077⟩
International audience; Silicon nitride spacer etching is one of the most critical step for the fabrication of CMOS transistors in microelectronics. It is usually done by plasma etching using a fluorocarbon based chemistry. However, from the 14 nm te
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e844d17b1b01ae815b10d13a0f71f224
https://hal-cea.archives-ouvertes.fr/cea-02202455
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje