Zobrazeno 1 - 10
of 21
pro vyhledávání: '"C.-Y. Chueh"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Min-Sheng Liao, K.-T. Chen, Shun-Ping Chang, Y.-J. Tseng, C.-S. Chang, Y.-Y. Lin, J.-P. Chiu, C.-C. Ho, C.-Y. Liao, Min-Hung Lee, Tuo-Hung Hou, C.-Y. Chueh, Yao-Joe Yang, Kuo-Yu Hsiang, Chun-Ming Chang, C.-H. Wu
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 67:4201-4207
Atomic layer deposition (ALD)-based TiN electrode on ferroelectric HfZrO2 metal/ferroelectric/metal (MFM) capacitor and ferroelectric field-effect transistor (FeFET) is demonstrated experimentally with weight transfer, that is, $\Delta {P}$ , per pul
Autor:
S.-H. Chang, Min-Hung Lee, S.-H. Chiang, Ming-Han Liao, C.-Y. Wang, Chun-Ming Chang, H.-Y. Yang, Yu-De Lin, Y.-Y. Lin, Y.-Y. Tseng, K.-T. Chen, P.-C. Yeh, P.-J. Tzeng, J.-H. Liu, C. Lo, G.-Y. Siang, H. Liang, C.-Y. Chueh, Yao-Joe Yang, Y.-J. Tseng, Shun-Ping Chang, F.-C. Hsieh
Publikováno v:
IRPS
The 3D double layer Ω-type FETs with ferroelectric HfZrO 2 gate served for one-transistor (1T) architecture is demonstrated and studied for memory reliability. The high endurance is presented more than 106 cycles P/E with 4V. Multi-domain model inte
Autor:
Chun-Yen Chang, Y.-Y. Lin, C.-Y. Chueh, Chee-Wee Liu, Y.-J. Tseng, F.-C. Hsieh, Min-Hung Lee, K.-T. Chen, Shun-Ping Chang, K.-S. Li, Ming-Han Liao, C.-Y. Liao, H.-Y. Chen, C. Lo, Yao-Joe Yang, G.-Y. Siang
Publikováno v:
2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
Being the first demonstration of quasi-antiferroelertic Hf 1-x Zr x O 2 (QAFE-HZO, Zr=75%) negative-capacitance (NC) FET with non-hysteretic bi-directional sub-60mV/dec (SS for =51mV/dec, SS rev =53mV/dec, ΔV T FE overlap of negative dQ/dV FE for fo
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
H.-Y. Chen, K.-S. Li, C. Lo, Chun-Ming Chang, G.-Y. Siang, C.-Y. Liao, Yao-Joe Yang, K.-T. Chen, Shun-Ping Chang, Y.-Y. Lin, Min-Hung Lee, Ming-Han Liao, Y.-J. Tseng, C.-Y. Chueh
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 215:110991
The ferroelectric HfZrO2 (HZO) is focused on coercive voltage for onset of negative capacitance (NC) with sub-2.3kbT/q subthreshold swing (SS). The Fe-FETs with ultra-thin HZO (
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.