Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"C.-E.D. Chen"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 37:1985-1994
n-channel SOI MOSFETs with floating bodies show a threshold voltage shift and an improvement in subthreshold slope at high drain biases. The magnitude of this effect depends on the device parameters and the starting SOI substrate. A simple device mod
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f780a9040c0cc6f43ac9d7dee5a29f88
https://doi.org/10.1109/16.57160
https://doi.org/10.1109/16.57160
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 35:629-633
The characteristics of CMOS devices fabricated in oxygen-implanted silicon-on-insulator (SOI) substrates with different oxygen doses are studied. The results show that transistor junction leakage currents are improved by orders of magnitude when the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::52482f068f388a93fa1f814b8c4ea98d
https://doi.org/10.1109/16.2505
https://doi.org/10.1109/16.2505
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 9:636-638
A single-transistor latch phenomenon observed in silicon-on-insulator (SOI) MOSFETs is reported. This latch effect, which occurs at high drain biases, is an extreme case of floating-body effects which are present in SOI MOSFETs. The floating body res
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5a8db1f7d0acd73fc31a51fb69d09e90
https://doi.org/10.1109/55.20420
https://doi.org/10.1109/55.20420
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.