Zobrazeno 1 - 10
of 51
pro vyhledávání: '"C.-D Pham"'
Autor:
K. Velen, T-A. Nguyen, C. D. Pham, H. T. Le, H. B. Nguyen, B. T. Dao, T. V. Nguyen, N. T. Nguyen, N. V. Nguyen, G. J. Fox
Publikováno v:
The International Journal of Tuberculosis and Lung Disease. 27:322-328
BACKGROUND: TB control remains a serious public health problem, compounded by poor treatment adherence, which increases the likelihood of onward transmission. We evaluated the effectiveness of medication event reminder monitoring (MERM) upon treatmen
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Gilbert Teyssedre, Sombel Diaham, Didier Marty-Dessus, C. D. Pham, Marie-Laure Locatelli, Laurent Berquez
Publikováno v:
IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation. 24:1220-1228
For Polyimides (PI) used as insulating inter-layers or passivation layers in microelectronics and power electronics, reliability and failure mechanisms are intimately linked to phenomena such as non-linear conduction, distortion of field distribution
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Electrostatics. 67:430-434
High resolution three-dimensional space charge cartographies obtained on 50 μm PTFE samples by using FLIMM technique are presented in this article. Samples were irradiated by a 30 keV electron beam. Charges were injected according to the grid patter
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2013 IEEE International Conference on Solid Dielectrics (ICSD).
High temperature dielectric relaxation spectroscopy (DRS) experiments have been performed on MIS (metal-insulator-semiconductor), MOS (metal-oxide-semiconductor) single-layer and MIOS (metal-insulator-oxide-semiconductor) double-layer structures, whe