Zobrazeno 1 - 10
of 1 742
pro vyhledávání: '"C.-C. Tseng"'
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 10, Pp 130672-130685 (2022)
With the ubiquity of sensor networks and smart devices that continuously collect data, we face the challenge of analyzing the growing stream of data in real time. In recent years, there has been a huge need to gain useful knowledge by incrementally a
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1b7abed10bc44d88b3cc2d2feb4cc813
Autor:
Y. T. Fanchiang, K. H. M. Chen, C. C. Tseng, C. C. Chen, C. K. Cheng, S. R. Yang, C. N. Wu, S. F. Lee, M. Hong, J. Kwo
Publikováno v:
Nature Communications, Vol 9, Iss 1, Pp 1-9 (2018)
Understanding the effects of topological insulators on magnetization dynamics of adjacent magnetic materials is essential for novel spintronic devices. Here, Fanchiang et al. report thickness dependence of interfacial in-plane magnetic anisotropy and
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5ffa6b0114904a3eb95faad274435e95
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
H. Y. Lin, C. K. Cheng, K. H. M. Chen, C. C. Tseng, S. W. Huang, M. T. Chang, S. C. Tseng, M. Hong, J. Kwo
Publikováno v:
APL Materials, Vol 6, Iss 6, Pp 066108-066108-7 (2018)
To preserve the high quality topological surface state after air exposure without degradation, it is crucial to identify an effective capping layer. In this study, we report an effective capping layer obtained by crystallizing Se. Upon extended expos
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/565549ce1db84dfd8aa3e48e04e1d818