Zobrazeno 1 - 10
of 606
pro vyhledávání: '"C. de Santi"'
Autor:
D. Favero, C. De Santi, A. Nardo, A. Dixit, P. Vanmeerbeek, A. Stockman, M. Tack, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Meneghini
Publikováno v:
Applied Physics Express, Vol 17, Iss 10, p 104001 (2024)
We demonstrate that exposure to positive gate bias can favor a fast recovery of the threshold voltage variation induced by off-state stress, in p-GaN gate high electron mobility transistors. Two process splits were investigated, having different Scho
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5a5f50e47a10457bb368574ebbdf76c4
Autor:
C. De Santi, M. Buffolo, I. Rossetto, T. Bordignon, E. Brusaterra, A. Caria, F. Chiocchetta, D. Favero, M. Fregolent, F. Masin, N. Modolo, A. Nardo, F. Piva, F. Rampazzo, C. Sharma, N. Trivellin, G. Zhan, M. Meneghini, E. Zanoni, G. Meneghesso
Publikováno v:
e-Prime: Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy, Vol 1, Iss , Pp 100018- (2021)
Several mechanisms may contribute to the degradation of GaN transistors; in this paper we discuss the main processes that limit the lifetime of GaN power devices, with focus on the following relevant aspects: (i) the degradation/breakdown induced by
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/78df0b8f79f44b6cb96de56f0a33eabf
Autor:
C. De Santi, G.L. Cavalleri, S.W. Kerrigan, F. Fitzpatrick, K. McGrogan, J. Gilroy, R. Baxter, V. Quadu, K. Ryan, H. Humphreys
Publikováno v:
Journal of Hospital Infection. 135:1-3
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a70cc9f65c3c084cd8b77241bd01c4fe
https://doi.org/10.1016/j.jhin.2023.02.001
https://doi.org/10.1016/j.jhin.2023.02.001
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
03.02 - Airway cell biology and immunopathology.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1c4aa463f6af87b7960ac5325df83632
https://doi.org/10.1183/23120541.lsc-2023.55
https://doi.org/10.1183/23120541.lsc-2023.55
Autor:
F. Piva, M. Pilati, M. Buffolo, N. Roccato, N. Susilo, D. Hauer Vidal, A. Muhin, L. Sulmoni, T. Wernicke, M. Kneissl, C. De Santi, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Meneghini
The lifetime of deep-ultraviolet light-emitting diodes (LEDs) is still limited by a number of factors, which are mainly related to semiconductor defects, and still need to be clarified. This paper improves the understanding of UV LED degradation, by
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::825b0e029dd89752aafdeccb29e27c2c
https://hdl.handle.net/11577/3479807
https://hdl.handle.net/11577/3479807
Publikováno v:
03.02 - Airway cell biology and immunopathology.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b21c94cdc471cc0e1841f482bc0181fb
https://doi.org/10.1183/13993003.congress-2022.2368
https://doi.org/10.1183/13993003.congress-2022.2368
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
F. Piva, M. Grigoletto, R. Brescancin, C. De Santi, M. Buffolo, J. Ruschel, J. Glaab, D. Hauer Vidal, M. Guttmann, J. Rass, S. Einfeldt, N. Susilo, T. Wernicke, M. Kneissl, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Meneghini
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 122:151108
We investigate the impact of Mg-doping on the performance and degradation kinetics of AlGaN-based UV-C light-emitting diodes (LEDs). By comparing LEDs from three wafers with different nominal doping levels [Mg/(Al+Ga) ratio: 0.15%, 0.5%, and 1% in th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ce06f04665726772ab8fc1c551acc009
https://doi.org/10.1063/5.0142054
https://doi.org/10.1063/5.0142054