Zobrazeno 1 - 10
of 47
pro vyhledávání: '"C. Zuñiga Islas"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
D.H. Cuate-Gomez, Miguel A. Dominguez, Jose L. Sosa-Sanchez, C. Zuñiga-Islas, A. Garzon-Roman
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 50:6951-6963
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Ceramics International. 46:1137-1147
Copper (Cu) and Indium (In) doped titanium dioxide (TiO2) obtained by a solvothermal method was confined in Porous Silicon (PS) prepared by Metal-Assisted Chemical Etching -MACE-, a low-cost and versatile method to investigate the morphological, stru
Publikováno v:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 30:21503-21513
In this work, a straightforward solvothermal approach to growing titanium dioxide (TiO2) structures into porous silicon substrates was developed. It was possible to modulate the morphology and optical characteristics of TiO2 by varying the concentrat
Autor:
D. Berman-Mendoza, A. Ramos-Carrazco, J. R. Noriega, A. Vera-Marquina, C. Zuñiga-Islas, R. Gómez-Fuentes, J. A. Gallardo-Cubedo, A. G. Rojas-Hernández, A. L. Leal-Cruz
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials.
The characterization of zinc oxide (ZnO) films, developed by a home-built chemical vapor deposition (CVD) system, working as an active layer for a n-channel depletion mode pseudo-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) is reported.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Leandro García-González, W Calleja Arriaga, Joel Molina-Reyes, Agustín L. Herrera-May, R. M. Woo-Garcia, Francisco López-Huerta, C. Zuñiga-Islas, M. Pacio-Castillo
Publikováno v:
Microscopy and Microanalysis. 26:163-164
Publikováno v:
Sensors and Actuators A: Physical. 315:112309
Organic semiconductors have recently gained more attention due to their electrical properties and flexibility for combining with other materials, mainly with inorganic semiconductors (silicon). In this work we fabricated heterostructures based on Erb
Autor:
Agustín L. Herrera-May, C. Zuñiga-Islas, R. Palomino-Merino, M. Galindo-Mentle, Francisco López-Huerta, W. Calleja-Arriaga
Publikováno v:
Journal of Mechanical Science and Technology. 29:1673-1679
We present a fabrication process of microstructures using both boron-doped hydrogenated amorphous silicon and hydrogenated amorphous silicon-germanium (a-SiB:H and a-Si0.5Ge0.5B:H) films for applications in devices based on microelectromechanical sys